| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-18页 |
| 1．1 电力电子器件的发展及电力电子技术对器件的要求 | 第6-8页 |
| 1．1．1 电力电子器件的发展 | 第6-7页 |
| 1．1．2 电力电子技术发展对器件的要求 | 第7-8页 |
| 1．2 影响击穿电压的几个因素 | 第8-11页 |
| 1．2．1 平面工艺pn结扩散终端对击穿电压的影响 | 第8-9页 |
| 1．2．2 界面电荷存在对击穿电压的影响 | 第9页 |
| 1．2．3 杂质在Si、SiO_2中具有不同的分凝系数对击穿电压的影响 | 第9-11页 |
| 1．3 各种结终端技术简介 | 第11-16页 |
| 1．3．1 场板技术 | 第11-14页 |
| 1．3．2 场限环技术 | 第14-15页 |
| 1．3．3 结终端扩展技术 | 第15-16页 |
| 1．4 本文工作简介 | 第16-17页 |
| 参考文献 | 第17-18页 |
| 第二章 MEDICI仿真程序 | 第18-29页 |
| 2．1 基本方程描述 | 第18-19页 |
| 2．2 模型的选取 | 第19-24页 |
| 2．2．1 复合模型的选取 | 第19-20页 |
| 2．2．2 载流子浓度分布的确定 | 第20-22页 |
| 2．2．3 迁移率模型的选取 | 第22-23页 |
| 2．2．4 雪崩碰撞电离模型 | 第23-24页 |
| 2．3 边界条件 | 第24-26页 |
| 2．4 数值求解方法 | 第26-28页 |
| 2．4．1 离散化 | 第26页 |
| 2．4．2 求解方法 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 800V和700V器件终端的设计 | 第29-45页 |
| 3．1 原有终端结构分析 | 第29-33页 |
| 3．2 仿真改进800V器件的终端设计 | 第33-38页 |
| 3．2．1 改进之一：调整p型环扩散窗口大小 | 第33-34页 |
| 3．2．2 改进之二：去掉p型环，调整间距，加场板 | 第34-36页 |
| 3．2．3 改进之三：增加第二个环上场板长度 | 第36-38页 |
| 3．3 800V器件结终端结构的优化分析 | 第38-42页 |
| 3．3．1 界面电荷密度的影响 | 第38-39页 |
| 3．3．2 场限环表面浓度的影响 | 第39页 |
| 3．3．3 氧化层厚度的影响 | 第39-40页 |
| 3．3．4 场板长度变化的影响 | 第40页 |
| 3．3．5 场限环宽度（扩散窗口宽度）的影响 | 第40-42页 |
| 3．4 700V器件的终端设计 | 第42-43页 |
| 3．5 700V器件试验结果及与仿真的对比 | 第43-45页 |
| 第四章 高压IGBT终端设计 | 第45-60页 |
| 4．1 基本结构参数选取及终端结构确定 | 第45-48页 |
| 4．1．1 基本结构参数的选取 | 第45-46页 |
| 4．1．2 终端结构的选取 | 第46-48页 |
| 4．2 仿真设计 | 第48-55页 |
| 4．2．1 采用五个环时的结果 | 第48-50页 |
| 4．2．2 采用六个环时的结果 | 第50-52页 |
| 4．2．3 采用七个环时的结果 | 第52-55页 |
| 4．3 对比分析 | 第55-57页 |
| 4．3．1 界面电荷密度变化的影响 | 第55页 |
| 4．3．2 氧化层厚度变化的影响 | 第55-56页 |
| 4．3．3 环宽度（扩散窗口宽度）变化的影响 | 第56页 |
| 4．3．4 结深变化的影响 | 第56-57页 |
| 4．4 实际IGBT结构的击穿电压 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-60页 |
| 第五章 结论与建议 | 第60-62页 |
| 5．1 结论 | 第60-61页 |
| 5．2 工作建议 | 第61-62页 |
| 致 谢 | 第62页 |
