| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-10页 |
| 第一章 研究背景 | 第10-27页 |
| §1．1 碳化硅高温材料与器件、应用 | 第10-15页 |
| 1．1．1 碳化硅晶体生长 | 第12页 |
| 1．1．2 碳化硅薄膜沉积 | 第12-13页 |
| 1．1．3 碳化硅高温电子器件 | 第13-15页 |
| 1．1．4 SiC薄膜的光学与光电子应用 | 第15页 |
| §1．2 碳化硅高温传感器 | 第15-19页 |
| 1．2．1 SiC薄膜的压阻性能 | 第16页 |
| 1．2．2 自支撑的SiC薄膜 | 第16-17页 |
| 1．2．3 金属－绝缘体－碳化硅高温气体传感器 | 第17-18页 |
| 1．2．4 SiC薄膜作为Si微机械加工中的掩膜材料 | 第18-19页 |
| §1．3 SIC／SI和SICOI结构及应用 | 第19-22页 |
| §1．4 多晶碳化硅材料与器件 | 第22-23页 |
| §1．5 本文研究内容 | 第23-27页 |
| 第二章 碳化硅薄膜的直流磁控溅射 | 第27-59页 |
| §2．1 直流磁控溅射系统与碳化硅的制备工艺 | 第27-28页 |
| §2．2 成分控制与组分分析 | 第28-35页 |
| 2．2．1 俄歇电子能谱分析 | 第28-32页 |
| 2．2．2 x射线光电子能谱分析 | 第32-34页 |
| 2．2．3 卢瑟福背散射与分析 | 第34-35页 |
| §2．3 非卢瑟福弹性背散射 | 第35-42页 |
| §2．4 晶体结构分析 | 第42-47页 |
| 2．4．1 常规x射线衍射 | 第42-43页 |
| 2．4．2 掠角x射线衍射 | 第43-44页 |
| 2．4．3 透射电子显微镜分析 | 第44-47页 |
| §2．5 碳化硅薄膜的表面形貌 | 第47-51页 |
| §2．6 SIMOX衬底上碳化硅薄膜的沉积 | 第51-56页 |
| §2．7 小结 | 第56-59页 |
| 第三章 磁控溅射SIC薄膜的红外光学研究 | 第59-83页 |
| §3．1 介质膜系的光学反射谱 | 第59-64页 |
| §3．2 有效介质近似 | 第64-67页 |
| §3．3 碳化硅／硅系统红外反射谱 | 第67-77页 |
| 3．3．1 反射谱的测量 | 第67-68页 |
| 3．3．2 碳化硅薄膜组成的分析（有效介质理论） | 第68页 |
| 3．3．3 红外反射谱的分析 | 第68-75页 |
| 3．3．4 红外椭圆偏振谱 | 第75-77页 |
| §3．4 碳化硅／绝缘体上硅系统红外反射谱 | 第77-81页 |
| 3．4．1 注入氧化物层的介电性质 | 第78-79页 |
| 3．4．2 SiC／SOI的反射谱 | 第79-81页 |
| §3．5 小结 | 第81-83页 |
| 第四章 碳化硅薄膜器件工艺 | 第83-93页 |
| §4．1 高温金属接触 | 第83-87页 |
| 4．1．1 金属的物理化学性质 | 第83-84页 |
| 4．1．2 沉积 | 第84-85页 |
| 4．1．3 退火处理 | 第85-87页 |
| §4．2 离子束刻蚀 | 第87-90页 |
| §4．3 小结 | 第90-93页 |
| 第五章 碳化硅薄膜微流量传感器原型器件 | 第93-100页 |
| §5．1 器件结构与原理 | 第93-94页 |
| §5．2 工艺流程 | 第94页 |
| §5．3 原型器件与特性 | 第94-98页 |
| 5．3．1 SiC／SOI微电阻的制备 | 第94-96页 |
| 5．3．2 碳化硅薄膜流量传感器 | 第96-98页 |
| §5．4 小结 | 第98-100页 |
| 结论 | 第100-102页 |
| 发表论文目录： | 第102-108页 |