| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 绪论 | 第10-17页 |
| 第一章 等离子体介质阻挡放电简介 | 第17-21页 |
| ·等离子体的产生 | 第17页 |
| ·介质阻挡放电简介 | 第17-20页 |
| ·介质阻档放电原理及物理过程 | 第17-19页 |
| ·介质阻挡放电的电极结构 | 第19-20页 |
| 本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 薄膜的表征及等离子体诊断方法简介 | 第21-33页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第21-30页 |
| ·傅立叶红外吸收光谱分析（FTIR） | 第21页 |
| ·X 射线光电子能谱分析(XPS) | 第21-24页 |
| ·扫描电子显微(SEM) | 第24-25页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第25-29页 |
| ·薄膜疏水性的测量 | 第29页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第29-30页 |
| ·等离子体诊断方法 | 第30-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 氟碳聚合物薄膜的制备、表征和特性分析 | 第33-52页 |
| ·实验装置、实验方案及过程的简述 | 第33-35页 |
| ·实验装置简介 | 第33-34页 |
| ·实验方案及实验过程简述 | 第34-35页 |
| ·采用C_4F_8,C_3F_8,CH_2F_2 为放电气体制备氟碳聚合物(A-C:F)薄膜 | 第35-50页 |
| ·放电气压对a-C:F 薄膜特性的影响 | 第35-48页 |
| ·沉积时间对a-C:F 薄膜疏水性的影响 | 第48-50页 |
| ·采用CF_4 和C_2F_6 为反应气体 | 第50页 |
| 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 二氧化硅薄膜的制备、表征和特性分析 | 第52-62页 |
| ·实验装置及实验过程简述 | 第52-53页 |
| ·氧气含量对SiO_22 薄膜的影响 | 第53-61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |