| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·电触头概述 | 第10-11页 |
| ·电触头材料 | 第11-13页 |
| ·银氧化锡的制备方法 | 第13-15页 |
| ·触头材料的电接触性能 | 第15-17页 |
| ·表面状况和接触电阻 | 第15-16页 |
| ·耐电弧侵蚀和低的材料转移能力 | 第16页 |
| ·抗熔焊性 | 第16-17页 |
| ·电弧运动特性 | 第17页 |
| ·原位反应合成技术 | 第17-18页 |
| ·分子动力学(MD) | 第18-20页 |
| ·分子动力学方法简介 | 第18页 |
| ·分子动力学计算步骤 | 第18-19页 |
| ·分子动力学的发展历程 | 第19-20页 |
| ·本课题研究的目的及意义 | 第20页 |
| ·课题来源及研究内容 | 第20-21页 |
| ·课题来源 | 第20-21页 |
| ·课题研究的内容 | 第21页 |
| ·本章小节 | 第21-22页 |
| 第二章 电弧侵蚀机理模型 | 第22-31页 |
| ·电弧理论的发展 | 第22-23页 |
| ·触头的材料转移 | 第23-24页 |
| ·电触头材料的电弧侵蚀 | 第24-25页 |
| ·电弧侵蚀机理模型 | 第25-30页 |
| ·金属熔桥模型 | 第25-27页 |
| ·离子束冲击、喷溅模型 | 第27-28页 |
| ·PSD模型(Particle Sputtering and Deposition模型) | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 实验 | 第31-35页 |
| ·实验设计 | 第31-33页 |
| ·实验样品的制备 | 第32页 |
| ·电接触实验 | 第32-33页 |
| ·实验及分析测试所需设备 | 第33-34页 |
| ·电接触实验所需设备 | 第33-34页 |
| ·对材料进行分析、测试所需设备 | 第34页 |
| ·分子动力学模拟软件 | 第34页 |
| ·本章小节 | 第34-35页 |
| 第四章 AgSnO_2的电接触性能研究 | 第35-55页 |
| ·AgSnO_2材料转移 | 第35-41页 |
| ·材料变形量对材料转移的影响 | 第35-38页 |
| ·电压、电流条件对材料转移的影响 | 第38-39页 |
| ·开、闭频率对材料转移的影响 | 第39-41页 |
| ·AgSnO_2材料的电弧侵蚀形貌 | 第41-47页 |
| ·AgSnO_2发生阳极转移后的电弧侵蚀形貌 | 第41-43页 |
| ·AgSnO_2发生阴极转移后的触点表面侵蚀形貌 | 第43-46页 |
| ·小电压下银氧化锡材料的侵蚀形貌 | 第46-47页 |
| ·能谱分析 | 第47-50页 |
| ·电弧特性分析 | 第50-52页 |
| ·电弧的伏安特性 | 第50-51页 |
| ·电弧的功率特性 | 第51-52页 |
| ·反应合成AgSnO_2材料的抗熔焊性能 | 第52-53页 |
| ·本章小节 | 第53-55页 |
| 第五章 分子动力学模拟Ag熔池中SnO_2的行为 | 第55-70页 |
| ·引言 | 第55-56页 |
| ·物质的势函数 | 第56-58页 |
| ·势函数的分类 | 第56-57页 |
| ·原子嵌入势(EAM) | 第57-58页 |
| ·分子动力学模拟结果的分析方法 | 第58-60页 |
| ·输运系数 | 第58-59页 |
| ·两体分布函数 | 第59页 |
| ·均方位移(MSD) | 第59-60页 |
| ·分子动力学模拟AgSnO_2熔池行为 | 第60-63页 |
| ·模拟软件的选择 | 第60页 |
| ·计算模型的建立 | 第60-62页 |
| ·设定计算条件并对模型进行计算 | 第62-63页 |
| ·分子动力学计算AgSnO_2熔池行为的模拟结果 | 第63-68页 |
| ·Ag(液)+SnO_2(固)模型的计算结果 | 第63-65页 |
| ·Ag(气)+SnO_2(发生分解)模型的计算结果 | 第65-68页 |
| ·分子动力学模拟AgSnO_2熔池行为的结论 | 第68页 |
| ·本章小节 | 第68-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 附录:攻读硕士学位期间发表论文 | 第79页 |