高动态范围CMOS图像传感器技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·CMOS 图像传感的原理 | 第9-11页 |
| ·无源像素(passive pixel) | 第9-10页 |
| ·有源像素(active pixel) | 第10-11页 |
| ·CMOS 图像传感器的特性 | 第11-12页 |
| ·填充系数(Fill Factor) | 第11页 |
| ·暗电流(Dark Current) | 第11-12页 |
| ·动态范围(Dynamic Range) | 第12页 |
| ·CMOS 图像传感器的应用 | 第12-14页 |
| ·在工业上面的应用 | 第12页 |
| ·在交通工程中的应用 | 第12-13页 |
| ·在数码影像上面的应用 | 第13页 |
| ·在医学上面的应用 | 第13-14页 |
| ·课题的研究意义 | 第14-15页 |
| 2 CMOS 图像传感器动态范围扩展技术 | 第15-24页 |
| ·CMOS 图像传感器的动态范围 | 第15-16页 |
| ·常用动态范围扩展技术 | 第16-21页 |
| ·对数像素 | 第16-17页 |
| ·具有横向溢出栅的像素 | 第17-18页 |
| ·两次或多次曝光技术 | 第18-19页 |
| ·条件复位多次采样像素结构 | 第19-20页 |
| ·局部曝光 | 第20-21页 |
| ·像素单元积分时间自适应技术 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 高动态范围像素电路 | 第24-50页 |
| ·高动态范围像素电路工作原理 | 第24-25页 |
| ·光电探测单元 | 第25-27页 |
| ·时间-电压编码电路 | 第27-31页 |
| ·Code1 产生电路 | 第27-29页 |
| ·Code2 产生电路 | 第29-31页 |
| ·高速电压比较器设计 | 第31-43页 |
| ·比较器原理 | 第31-33页 |
| ·比较器性能参数 | 第33-34页 |
| ·单级比较器 | 第34-38页 |
| ·两级比较器 | 第38-39页 |
| ·高速电压比较器 | 第39-43页 |
| ·采样脉冲生成电路 | 第43-45页 |
| ·HDR 像素单元电路仿真 | 第45-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 4 高动态范围像素阵列 | 第50-54页 |
| 5 版图设计 | 第54-58页 |
| ·CMOS 制造工艺简介 | 第54页 |
| ·工艺设计规则 | 第54-56页 |
| ·宽度规则 | 第55页 |
| ·间距规则 | 第55页 |
| ·交叠规则 | 第55-56页 |
| ·版图的分析和检验 | 第56-57页 |
| ·版图数据的提交 | 第57页 |
| ·像元版图 | 第57页 |
| ·小结 | 第57-58页 |
| 6 论文总结 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 | 第65页 |
| 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第65页 |
