| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题背景和研究意义 | 第9-10页 |
| ·平面磁控溅射技术的发展和现状 | 第10-12页 |
| ·薄膜制备及基本理论 | 第12-19页 |
| ·溅射原理 | 第12-13页 |
| ·磁控溅射 | 第13-14页 |
| ·带电粒子在电场和磁场中的运动 | 第14-19页 |
| ·论文的主要内容与结构 | 第19-21页 |
| 第2章 基于单片机的智能脉冲发生器的设计 | 第21-45页 |
| ·脉冲发生器的国内外发展动态 | 第21-22页 |
| ·本文所设计的脉冲发生器的应用背景 | 第22-25页 |
| ·脉冲发生器的基本参数设置 | 第25页 |
| ·脉冲发生器的组成 | 第25-33页 |
| ·电路的控制核心AVR ATmega16 微控制器 | 第26-27页 |
| ·ZLG7290 I~2C 接口键盘 | 第27-28页 |
| ·输出电路板的组成与设计原理 | 第28-31页 |
| ·AVR JTAG 仿真器的应用 | 第31-33页 |
| ·图形点阵液晶显示模块的应用 | 第33-35页 |
| ·高速电路板的设计 | 第35-41页 |
| ·PCB 设置 | 第35-36页 |
| ·电路板布线规则 | 第36-37页 |
| ·电路板的具体设计 | 第37-41页 |
| ·脉冲发生器的程序编译设计 | 第41-43页 |
| ·编程语言简介以及程序流程框图 | 第41-43页 |
| ·软件设计中所使用的编译器ICCAVR | 第43页 |
| ·AVR 开发工具 AVR Studio4 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第3章 用变化的外加磁场进行磁控溅射方法的研究 | 第45-77页 |
| ·样品的制备与检测 | 第45-46页 |
| ·改变外加磁场时磁控溅射发生的变化 | 第46-52页 |
| ·辉光形貌的变化 | 第46-47页 |
| ·自偏压的变化 | 第47-48页 |
| ·机理分析 | 第48-52页 |
| ·薄膜的厚度分布及其形貌变化 | 第52-54页 |
| ·沉积速率的变化 | 第54-56页 |
| ·靶的刻蚀变化 | 第56-58页 |
| ·传统磁控溅射刻蚀环的形成 | 第56-57页 |
| ·改变外加磁场磁控溅射时靶材的刻蚀 | 第57-58页 |
| ·磁控溅射靶材利用率和刻蚀均匀性计算方法的探讨 | 第58-76页 |
| ·平面靶电磁场对运动电子的约束机理 | 第58-59页 |
| ·计算及讨论 | 第59-64页 |
| ·磁控溅射镀铝试验 | 第64-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第4章 基于磁控溅射靶面刻蚀均匀性研究的虚拟仪表设计 | 第77-126页 |
| ·虚拟仪表的发展概况 | 第77-80页 |
| ·用于磁控溅射靶面刻蚀均匀性研究的虚拟仪表的组成 | 第80-113页 |
| ·虚拟仪表的硬件系统 | 第80-82页 |
| ·虚拟仪表的软件系统 | 第82-83页 |
| ·自校正控制系统 | 第83-89页 |
| ·虚拟仪表统计回归模型的建立 | 第89-113页 |
| ·虚拟仪表的开发与实现 | 第113-125页 |
| ·虚拟仪表实现的功能 | 第113-114页 |
| ·虚拟仪表的前面板 | 第114-125页 |
| ·本章小结 | 第125-126页 |
| 结论 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-133页 |
| 附录1 电路板PCB 图 | 第133-134页 |
| 附录2 ZLG7290 I~2C 接口键盘的编程指令 | 第134-138页 |
| 附录3 对于图形点阵液晶显示模块的编程 | 第138-147页 |
| 致谢 | 第147页 |
