SiC MESFET大信号模型研究和平衡放大器的设计

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
1 前言	第7-11页
·SiC材料和4H-SiC MESFET特性	第7-8页
·4H-SiC微波功率MESFET的研究进展	第8-10页
·MESFET模型研究进展	第8-9页
·4H-SiC微波功率MESFET器件发展现状	第9-10页
·本文的主要工作	第10-11页
2 SiC MESFET小信号模型的分析	第11-19页
·SiC MESFET小信号寄生参数的提取	第12-15页
·寄生电容的提取	第12-13页
·寄生电感的提取	第13-14页
·寄生电阻的提取	第14-15页
·SiC MESFET小信号本征参数的提取	第15-17页
·本章小结	第17-19页
3 SiC MESFET大信号模型的分析	第19-31页
·SiC MESFET解析模型	第19-24页
·源漏串联电阻模型	第20页
·冻析效应	第20-21页
·迁移率模型	第21页
·直流Ⅰ-Ⅴ特性解析模型	第21-24页
·SiC MESFET经验模型	第24-30页
·漏源直流模型	第25-26页
·栅源电流Igs和栅漏电流Igd模型	第26页
·电容模型	第26-28页
·分析讨论	第28-30页
·本章小结	第30-31页
4 SiC MESFET平衡放大器的设计	第31-45页
·单片功率放大器的设计	第31-38页
·功率放大器的主要技术指标	第31-32页
·功率放大器的设计	第32-38页
·3dB耦合器的设计	第38-41页
·兰格耦合器的基本原理	第38-39页
·兰格耦合器的设计	第39-41页
·平衡放大器的设计	第41-44页
·平衡放大器的工作原理和特点	第41-42页
·平衡放大器的设计	第42-44页
·本章小结	第44-45页
5 结论	第45-47页
致谢	第47-49页
参考文献	第49-51页