| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-17页 |
| 1.2.1 芯片失效原因 | 第12-14页 |
| 1.2.2 芯片失效后果 | 第14-15页 |
| 1.2.3 焊接式IGBT器件和压接式IGBT器件失效的结果 | 第15页 |
| 1.2.4 压接式IGBT器件失效短路研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 失效短路实验方案设计和平台搭建 | 第18-28页 |
| 2.1 过电流实验方案 | 第18-25页 |
| 2.1.1 实验条件的设定 | 第18-19页 |
| 2.1.2 实验设备介绍 | 第19-23页 |
| 2.1.3 过电流实验平台 | 第23-25页 |
| 2.1.4 过电流实验平台的验证 | 第25页 |
| 2.2 电流老化实验方案 | 第25-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 失效短路实验结果和分析 | 第28-43页 |
| 3.1 钼片-芯片-钼片子模组实验结果 | 第28-31页 |
| 3.1.1 过电流实验结果 | 第28-29页 |
| 3.1.2 电流老化实验结果 | 第29-31页 |
| 3.2 钼片-铝片-芯片-钼片子模组实验结果 | 第31-34页 |
| 3.2.1 过电流实验结果 | 第31-32页 |
| 3.2.2 电流老化实验结果 | 第32-34页 |
| 3.3 钼片-0.5银片-芯片-钼片子模组实验结果 | 第34-36页 |
| 3.3.1 过电流实验结果 | 第34-35页 |
| 3.3.2 电流老化实验结果 | 第35-36页 |
| 3.4 钼片-0.05银片-芯片-钼片子模组实验结果 | 第36-39页 |
| 3.4.1 过电流实验结果 | 第36-38页 |
| 3.4.2 电流老化实验结果 | 第38-39页 |
| 3.5 实验结果分析 | 第39-42页 |
| 3.5.1 过电流实验过程电功率波形 | 第39-40页 |
| 3.5.2 过电流实验结果对比分析 | 第40页 |
| 3.5.3 电流老化实验结果对比分析 | 第40-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 压接式IGBT器件失效短路的热暂态建模和仿真 | 第43-56页 |
| 4.1 仿真软件介绍 | 第43页 |
| 4.2 暂态热仿真建模 | 第43-46页 |
| 4.2.1 钼片-芯片-钼片结构子模组建模 | 第44-45页 |
| 4.2.2 钼片-铝片-芯片-钼片结构子模组建模 | 第45页 |
| 4.2.3 钼片-0.5银片-芯片-钼片结构子模组建模 | 第45-46页 |
| 4.2.4 钼片-0.05银片-芯片-钼片结构子模组建模 | 第46页 |
| 4.3 暂态热仿真结果分析 | 第46-54页 |
| 4.3.1 四种压接式子模组集中式热源仿真温度比较 | 第46-48页 |
| 4.3.2 四种压接式子模组分布式热源仿真温度比较 | 第48-50页 |
| 4.3.3 钼片-芯片-钼片结构子模组在两种热源情况下的比较 | 第50-51页 |
| 4.3.4 钼片-铝片-芯片-钼片结构子模组在两种热源情况下的比较 | 第51-52页 |
| 4.3.5 钼片-0.5银片-芯片-钼片结构子模组在两种热源情况下的比较 | 第52-53页 |
| 4.3.6 钼片-0.05银片-芯片-钼片结构子模组在两种热源情况下的比较 | 第53-54页 |
| 4.4 仿真计算的论证 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 结论 | 第56-57页 |
| 5.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研工作 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
