摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-28页 |
1.1 引言 | 第13-14页 |
1.2 X射线成像发展概述 | 第14-19页 |
1.2.1 胶片成像 | 第14页 |
1.2.2 计算机X射线成像(CR) | 第14-15页 |
1.2.3 数字X射线成像(DR) | 第15-19页 |
1.3 闪烁屏 | 第19-24页 |
1.3.1 闪烁体 | 第19-21页 |
1.3.2 CsI:Tl闪烁晶体 | 第21-22页 |
1.3.3 CsI:Tl膜状闪烁屏 | 第22-24页 |
1.4 小型化X射线闪烁成像探测结构 | 第24-26页 |
1.5 论文选题和章节安排 | 第26-28页 |
第二章 CsI:Tl膜状闪烁屏的光转换理论研究 | 第28-50页 |
2.1 CsI:Tl闪烁晶体的光转换机理 | 第28-35页 |
2.1.1 X射线与闪烁晶体的相互作用 | 第28-31页 |
2.1.2 Tl+掺杂对CsI:Tl晶体光转换性能的影响 | 第31-35页 |
2.2 CsI:Tl膜状闪烁屏的微结构模型 | 第35-46页 |
2.2.1 理想连续层结构 | 第35-38页 |
2.2.2 像素化单元结构 | 第38-42页 |
2.2.3 微晶柱结构 | 第42-46页 |
2.3 CsI:Tl膜状闪烁屏的微结构参数对其光转换性能的影响 | 第46-49页 |
2.4 本章小结 | 第49-50页 |
第三章 CsI:Tl膜状闪烁屏的制备工艺研究 | 第50-60页 |
3.1 CsI:Tl膜状闪烁屏的制备工艺 | 第50-53页 |
3.1.1 物理气相沉积工艺 | 第50-51页 |
3.1.2 真空热蒸发沉积工艺 | 第51-53页 |
3.2 真空热蒸发镀膜设备及原材料 | 第53-55页 |
3.2.1 真空热蒸发镀膜设备 | 第53页 |
3.2.2 CsI:Tl原材料 | 第53-55页 |
3.2.3 蒸发源及衬底 | 第55页 |
3.3 工艺流程及测试手段 | 第55-59页 |
3.3.1 CsI:Tl膜状闪烁屏的制备工艺流程 | 第55-56页 |
3.3.2 CsI:Tl膜状闪烁屏的性能测试手段 | 第56-59页 |
3.4 本章小结 | 第59-60页 |
第四章 工艺条件对CsI:Tl膜状闪烁屏性能的影响 | 第60-81页 |
4.1 多晶膜的生长机理 | 第60-64页 |
4.1.1 气相吸附 | 第60页 |
4.1.2 形核 | 第60-61页 |
4.1.3 连续薄膜的形成及生长 | 第61-63页 |
4.1.4 CsI:Tl多晶膜的VW生长机理 | 第63-64页 |
4.2 不同工艺条件对CsI:Tl膜状闪烁屏性能的影响 | 第64-79页 |
4.2.1 工作真空度对膜状闪烁屏性能的影响 | 第65-67页 |
4.2.2 源衬间距对膜状闪烁屏性能的影响 | 第67-69页 |
4.2.3 蒸发电流对膜状闪烁屏性能的影响 | 第69-73页 |
4.2.4 衬底温度对膜状闪烁屏性能的影响 | 第73-75页 |
4.2.5 衬底形态对膜状闪烁屏性能的影响 | 第75-79页 |
4.3 本章小结 | 第79-81页 |
第五章 CsI:Tl膜状闪烁屏的性能优化研究 | 第81-96页 |
5.1 CsI:Tl膜状闪烁屏的微结构优化 | 第81-87页 |
5.1.1 膜状闪烁屏的微结构变化趋势 | 第81-84页 |
5.1.2 界面调控 | 第84-87页 |
5.2 CsI:Tl膜状闪烁屏的防潮解 | 第87-95页 |
5.2.1 潮解对CsI:Tl膜状闪烁屏性能的影响 | 第87-93页 |
5.2.3 CsI:Tl膜状闪烁屏的防潮解结构及性能 | 第93-95页 |
5.3 本章小结 | 第95-96页 |
第六章 X射线成像探测系统的成像性能研究 | 第96-110页 |
6.1 X射线闪烁成像探测系统的搭建 | 第96-100页 |
6.2 X射线闪烁成像探测系统的成像性能 | 第100-108页 |
6.2.1 直接耦合结构的X射线成像探测系统 | 第100-104页 |
6.2.2 光组件耦合结构的X射线成像探测系统 | 第104-107页 |
6.2.3 小型化X射线成像探测的成像优势 | 第107-108页 |
6.3 本章小结 | 第108-110页 |
第七章 结束语 | 第110-114页 |
7.1 本论文的主要研究成果和创新点 | 第110-112页 |
7.2 本论文的后续工作展望 | 第112-113页 |
7.3 总结 | 第113-114页 |
致谢 | 第114-115页 |
参考文献 | 第115-128页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第128-129页 |