| 中文摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| 1.1 核能与存在的问题 | 第13-20页 |
| 1.1.1 裂变能与聚变能 | 第13-15页 |
| 1.1.2 磁约束核聚变与面临的问题 | 第15-17页 |
| 1.1.3 放射性废物处理与存在的问题 | 第17-20页 |
| 1.2 飞行时间-二次离子质谱(ToF-SIMS) | 第20-23页 |
| 1.2.1 ToF-SIMS简介 | 第20-22页 |
| 1.2.2 ToF-SIMS与核材料、玻璃腐蚀研究 | 第22-23页 |
| 1.3 国内外研究进展与本论文工作 | 第23-28页 |
| 1.3.1 国内外研究进展 | 第23-26页 |
| 1.3.2 本论文研究内容与目的 | 第26-28页 |
| 第二章 基本理论与实验方法 | 第28-55页 |
| 2.1 离子注入与辐照损伤 | 第28-35页 |
| 2.1.1 入射离子在材料中的分布 | 第28-31页 |
| 2.1.2 材料辐照效应与氢行为 | 第31-35页 |
| 2.2 玻璃固化体与溶液的相互作用 | 第35-40页 |
| 2.2.1 玻璃腐蚀机理 | 第35-37页 |
| 2.2.2 玻璃腐蚀模拟与实验室技术 | 第37-40页 |
| 2.3 二次离子质谱(SIMS)技术原理 | 第40-48页 |
| 2.3.1 材料溅射理论 | 第40-43页 |
| 2.3.2 二次离子质谱(SIMS) | 第43-48页 |
| 2.4 其它分析技术 | 第48-55页 |
| 2.4.1 扫描电子显微镜与透射电子显微镜 | 第48-52页 |
| 2.4.2 X射线衍射分析 | 第52-55页 |
| 第三章 钨的表面形貌与氢的深度分布 | 第55-85页 |
| 3.1 材料处理与离子注入 | 第55-65页 |
| 3.1.1 钨材料与预处理 | 第55-58页 |
| 3.1.2 离子注入实验 | 第58-62页 |
| 3.1.3 分析实验过程 | 第62-65页 |
| 3.2 注入条件与氢深度分布、微观结构的相关性 | 第65-71页 |
| 3.2.1 剂量与表面形貌相关性 | 第65-67页 |
| 3.2.2 能量效应与深度分布 | 第67-70页 |
| 3.2.3 讨论与小结 | 第70-71页 |
| 3.3 氢在钨中的深度分布与退火行为 | 第71-78页 |
| 3.3.1 深度分布与长期变化行为 | 第72-73页 |
| 3.3.2 等温退火下的氢分布行为 | 第73-77页 |
| 3.3.3 讨论与小结 | 第77-78页 |
| 3.4 离子预注入对氢在钨中的分布影响 | 第78-85页 |
| 3.4.1 离子预注入后氢在钨中的深度分布 | 第79-81页 |
| 3.4.2 注入截面观察 | 第81-83页 |
| 3.4.3 讨论与小结 | 第83-85页 |
| 第四章 ISG腐蚀玻璃中的元素分析 | 第85-103页 |
| 4.1 样品制备与腐蚀实验 | 第85-91页 |
| 4.1.1 ISG玻璃制备与腐蚀 | 第85-88页 |
| 4.1.2 ToF-SIMS样品制备 | 第88-90页 |
| 4.1.3 实验分析过程 | 第90-91页 |
| 4.2 块状腐蚀ISG样品的氢分布 | 第91-97页 |
| 4.2.1 元素深度分布及成像条件 | 第91-94页 |
| 4.2.2 块状ISG腐蚀玻璃的元素成像 | 第94-96页 |
| 4.2.3 讨论与小结 | 第96-97页 |
| 4.3 颗粒状ISG腐蚀样品的元素分布 | 第97-103页 |
| 4.3.1 SEM成像分析 | 第97-98页 |
| 4.3.2 颗粒状ISG腐蚀样品的元素成像 | 第98-101页 |
| 4.3.3 讨论与小结 | 第101-103页 |
| 第五章 总结与展望 | 第103-107页 |
| 5.1 研究总结 | 第103-105页 |
| 5.1.1 钨中的H行为及其微观结构 | 第103页 |
| 5.1.2 ISG玻璃腐蚀层的元素分析 | 第103-104页 |
| 5.1.3 ToF-SIMS方法的应用 | 第104-105页 |
| 5.2 研究展望 | 第105-107页 |
| 在学期间的研究成果 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |