| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 电力电子技术 | 第12-13页 |
| 1.2 电力电子技术的应用 | 第13-15页 |
| 1.3 功率半导体器件 | 第15-30页 |
| 1.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 1.5 本文的主要研究工作 | 第31-33页 |
| 第二章 横向功率器件 | 第33-44页 |
| 2.1 横向功率器件简介 | 第33-34页 |
| 2.2 横向功率器件的耐压技术 | 第34-42页 |
| 2.2.1 RESURF技术 | 第34-36页 |
| 2.2.2 优化横向变掺杂理论 | 第36-38页 |
| 2.2.3 利用高K介质的表面耐压技术 | 第38-42页 |
| 2.3 本文中使用的其它相关技术 | 第42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第三章 一种具有载流子积累层的高KLDMOS的研究 | 第44-65页 |
| 3.1 在漂移区引入载流子积累层的LDMOS的发展介绍 | 第44-49页 |
| 3.2 本文提出的具有载流子积累层的高KLDMOS | 第49-62页 |
| 3.2.1 基本结构介绍及原理分析 | 第49-53页 |
| 3.2.2 器件特性仿真 | 第53-62页 |
| 3.2.2.1 高K介质层对器件耐压的影响 | 第54-55页 |
| 3.2.2.2 多晶硅层对器件耐压和比导通电阻的影响 | 第55-58页 |
| 3.2.2.3 场板对器件耐压的影响 | 第58页 |
| 3.2.2.4 器件的开关特性 | 第58-60页 |
| 3.2.2.5 杂质浓度偏差对耐压的影响以及器件的安全工作区 | 第60-62页 |
| 3.3 具有载流子积累层的高KLDMOS的制造工艺流程 | 第62-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第四章 一种新型双通道导电的高KSOIP-LDMOS的研究 | 第65-83页 |
| 4.1 SOI场p-LDMOS在SPIC中的应用及发展 | 第65-69页 |
| 4.2 新型双通道导电的高KSOIp-LDMOS的研究与设计 | 第69-79页 |
| 4.2.1 器件结构及原理 | 第69-73页 |
| 4.2.2 器件参数设计与讨论 | 第73-79页 |
| 4.3 工艺仿真验证 | 第79-82页 |
| 4.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 一种具有载流子存储层的快关断SOILIGBT结构 | 第83-97页 |
| 5.1 LIGBT开关特性研究 | 第83-86页 |
| 5.2 LIGBT关断时间研究现状 | 第86-91页 |
| 5.3 具有载流子存储层的快关断SOILIGBT | 第91-96页 |
| 5.3.1 器件结构及原理 | 第91-92页 |
| 5.3.2 仿真结果和讨论 | 第92-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-97页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第97-99页 |
| 6.1 全文总结 | 第97-98页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-109页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第109页 |
