| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 前言 | 第11-12页 |
| 1.2 半导体异质结光催化 | 第12-14页 |
| 1.3 高质量界面异质结的构筑 | 第14-16页 |
| 1.4 高质量界面异质结构筑方法 | 第16-17页 |
| 1.5 铋基化合物 | 第17-18页 |
| 1.6 论文的选题意义 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-26页 |
| 第二章 1D高质量界面的Bi_2O_3-Bi_4V_2O_(11)异质结的合成及其降解高浓度苯酚和MO的研究 | 第26-46页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-30页 |
| 2.2.1 试剂 | 第27-28页 |
| 2.2.2 材料合成 | 第28页 |
| 2.2.3 表征仪器 | 第28-29页 |
| 2.2.4 光催化实验 | 第29页 |
| 2.2.5 电化学阻抗(EIS)测试 | 第29-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-39页 |
| 2.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-46页 |
| 第三章 1D高质量界面的Bi_2O_3-Bi_5O_7I异质结的合成及其光催化性能的研究. | 第46-65页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 实验部分 | 第47-50页 |
| 3.2.1 试剂 | 第47-48页 |
| 3.2.2 材料合成 | 第48页 |
| 3.2.3 表征仪器 | 第48-49页 |
| 3.2.4 光催化实验 | 第49页 |
| 3.2.5 电化学阻抗(EIS)测试 | 第49-50页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第50-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 第四章 1DBi_2O_3-Bi_2O_2CO_3异质结的合成及其增强的光催化性能的研究 | 第65-82页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验部分 | 第66-68页 |
| 4.2.1 试剂 | 第66页 |
| 4.2.2 材料合成 | 第66-67页 |
| 4.2.3 表征仪器 | 第67页 |
| 4.2.4 光催化实验 | 第67页 |
| 4.2.5 电化学阻抗(EIS)测试 | 第67-68页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第68-77页 |
| 4.4 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 附录 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
