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垂直结构LED芯片p电极的设计及制备

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第12-29页
    1.1 研究背景和意义第12-20页
        1.1.1 硅基LED芯片的研究意义第12-13页
        1.1.2 传统水平结构LED芯片的缺点第13-15页
        1.1.3 硅基垂直结构LED芯片技术第15-17页
        1.1.4 垂直结构LED芯片p面反射镜的研究意义第17-20页
    1.2 叠层P面反射镜的结构设计第20-25页
        1.2.1 克服Ag层性能衰退的几种方式第20-22页
        1.2.2 叠层反射镜中欧姆接触层的材料选择第22-24页
        1.2.3 叠层反射镜中反射镜保护层的材料选择第24-25页
    1.3 NI/AG/NI基P面反射镜的研究意义第25-27页
    1.4 P面反射镜的技术瓶颈及本论文的创新点第27-28页
    1.5 论文的章节安排第28-29页
第二章 基于叠层P面反射镜的垂直结构LED芯片工艺流程及表征方法第29-38页
    2.1 基于叠层P面反射镜的垂直结LED芯片的制备第29页
    2.2 叠层P面反射镜的制备第29-32页
        2.2.1 电子束蒸发及金属薄膜溅射机台及原理简介第29-31页
        2.2.2 快速退火热处理第31-32页
    2.3 性能表征及器件测试方法第32-37页
        2.3.1 叠层p面反射镜性能表征第32-35页
        2.3.2 垂直结构LED芯片工艺器件测试第35-37页
        2.3.3 本文英文缩写第37页
    2.4 本章小结第37-38页
第三章 接触层的优化及对垂直结构LED芯片光电性能的提升第38-51页
    3.1 引言第38-39页
    3.2 基于NIO纳米点接触层的垂直结构LED芯片设计与制备第39-50页
        3.2.1 NiO纳米点反射镜的制备流程第39页
        3.2.2 NiO纳米点反射镜的实验设计第39-41页
        3.2.3 基于NiO接触层的材料表征第41-46页
            3.2.3.1 p-GaN衬底的AFM形貌图第41-42页
            3.2.3.2 Ni插入层AFM形貌图第42-44页
            3.2.3.3 NiO插入层AFM形貌图第44-46页
        3.2.4 Ni退火形成NiO表面重构机理第46-48页
        3.2.5 基于NiO纳米点欧姆接触层的LED芯片器件性能表征第48-50页
    3.3 本章小结第50-51页
第四章 反射镜层的优化及对垂直结构LED芯片光电性能的提升第51-70页
    4.1 引言第51页
    4.2 AG反射镜层的厚度-应力调控机制对LED芯片LOP的提升第51-66页
        4.2.1 不同厚度Ag反射镜层的实验设计第51-64页
        4.2.3 基于不同Ag层厚度-应力调控机制的LED芯片器件性能表征第64-66页
        4.2.4 实验小结第66页
    4.3 不同反射镜退火条件对LED芯片LOP的影响第66-68页
        4.3.1 不同反射镜退火温度对LED芯片LOP的影响第66-67页
        4.3.2 不同反射镜退火氛围对LED芯片LOP的影响第67-68页
        4.3.3 实验小结第68页
    4.4 本章小结第68-70页
第五章 两步法制备AG基反射镜及对垂直结构LED芯片光电性能的提升第70-81页
    5.1 引言第70页
    5.2 两步法AG基反射镜垂直结构LED芯片的设计和制备第70-80页
        5.2.1 两步法制备Ag基叠层反射镜实验设计第70页
        5.2.2 两步法制备Ag基反射镜材料性能表征测试第70-75页
            5.2.2.1 生长前p-GaN的表面形貌第70-72页
            5.2.2.2 第一步清洗后GaN表面形貌第72-74页
            5.2.2.3 第二步退火后Ag表面形貌第74-75页
        5.2.3 基于两步法制备Ag基反射镜的LED芯片器件性能表征第75-80页
    5.3 本章小结第80-81页
第六章 总结与展望第81-83页
    6.1 全文总结第81页
    6.2 后续工作展望第81-83页
参考文献第83-92页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第92-95页
致谢第95-96页
附件第96页

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