摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-29页 |
1.1 研究背景和意义 | 第12-20页 |
1.1.1 硅基LED芯片的研究意义 | 第12-13页 |
1.1.2 传统水平结构LED芯片的缺点 | 第13-15页 |
1.1.3 硅基垂直结构LED芯片技术 | 第15-17页 |
1.1.4 垂直结构LED芯片p面反射镜的研究意义 | 第17-20页 |
1.2 叠层P面反射镜的结构设计 | 第20-25页 |
1.2.1 克服Ag层性能衰退的几种方式 | 第20-22页 |
1.2.2 叠层反射镜中欧姆接触层的材料选择 | 第22-24页 |
1.2.3 叠层反射镜中反射镜保护层的材料选择 | 第24-25页 |
1.3 NI/AG/NI基P面反射镜的研究意义 | 第25-27页 |
1.4 P面反射镜的技术瓶颈及本论文的创新点 | 第27-28页 |
1.5 论文的章节安排 | 第28-29页 |
第二章 基于叠层P面反射镜的垂直结构LED芯片工艺流程及表征方法 | 第29-38页 |
2.1 基于叠层P面反射镜的垂直结LED芯片的制备 | 第29页 |
2.2 叠层P面反射镜的制备 | 第29-32页 |
2.2.1 电子束蒸发及金属薄膜溅射机台及原理简介 | 第29-31页 |
2.2.2 快速退火热处理 | 第31-32页 |
2.3 性能表征及器件测试方法 | 第32-37页 |
2.3.1 叠层p面反射镜性能表征 | 第32-35页 |
2.3.2 垂直结构LED芯片工艺器件测试 | 第35-37页 |
2.3.3 本文英文缩写 | 第37页 |
2.4 本章小结 | 第37-38页 |
第三章 接触层的优化及对垂直结构LED芯片光电性能的提升 | 第38-51页 |
3.1 引言 | 第38-39页 |
3.2 基于NIO纳米点接触层的垂直结构LED芯片设计与制备 | 第39-50页 |
3.2.1 NiO纳米点反射镜的制备流程 | 第39页 |
3.2.2 NiO纳米点反射镜的实验设计 | 第39-41页 |
3.2.3 基于NiO接触层的材料表征 | 第41-46页 |
3.2.3.1 p-GaN衬底的AFM形貌图 | 第41-42页 |
3.2.3.2 Ni插入层AFM形貌图 | 第42-44页 |
3.2.3.3 NiO插入层AFM形貌图 | 第44-46页 |
3.2.4 Ni退火形成NiO表面重构机理 | 第46-48页 |
3.2.5 基于NiO纳米点欧姆接触层的LED芯片器件性能表征 | 第48-50页 |
3.3 本章小结 | 第50-51页 |
第四章 反射镜层的优化及对垂直结构LED芯片光电性能的提升 | 第51-70页 |
4.1 引言 | 第51页 |
4.2 AG反射镜层的厚度-应力调控机制对LED芯片LOP的提升 | 第51-66页 |
4.2.1 不同厚度Ag反射镜层的实验设计 | 第51-64页 |
4.2.3 基于不同Ag层厚度-应力调控机制的LED芯片器件性能表征 | 第64-66页 |
4.2.4 实验小结 | 第66页 |
4.3 不同反射镜退火条件对LED芯片LOP的影响 | 第66-68页 |
4.3.1 不同反射镜退火温度对LED芯片LOP的影响 | 第66-67页 |
4.3.2 不同反射镜退火氛围对LED芯片LOP的影响 | 第67-68页 |
4.3.3 实验小结 | 第68页 |
4.4 本章小结 | 第68-70页 |
第五章 两步法制备AG基反射镜及对垂直结构LED芯片光电性能的提升 | 第70-81页 |
5.1 引言 | 第70页 |
5.2 两步法AG基反射镜垂直结构LED芯片的设计和制备 | 第70-80页 |
5.2.1 两步法制备Ag基叠层反射镜实验设计 | 第70页 |
5.2.2 两步法制备Ag基反射镜材料性能表征测试 | 第70-75页 |
5.2.2.1 生长前p-GaN的表面形貌 | 第70-72页 |
5.2.2.2 第一步清洗后GaN表面形貌 | 第72-74页 |
5.2.2.3 第二步退火后Ag表面形貌 | 第74-75页 |
5.2.3 基于两步法制备Ag基反射镜的LED芯片器件性能表征 | 第75-80页 |
5.3 本章小结 | 第80-81页 |
第六章 总结与展望 | 第81-83页 |
6.1 全文总结 | 第81页 |
6.2 后续工作展望 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-92页 |
攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第92-95页 |
致谢 | 第95-96页 |
附件 | 第96页 |