| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 柔性电子器件与MOTFT | 第11-14页 |
| 1.2.1 柔性电子器件的发展与应用 | 第11-13页 |
| 1.2.2 MOTFT的常见结构与工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3 柔性MOTFT研究现状 | 第14-20页 |
| 1.3.1 制备方法 | 第14页 |
| 1.3.2 柔性基板 | 第14-15页 |
| 1.3.3 低温氧化物绝缘层研究 | 第15-17页 |
| 1.3.4 低温氧化物有源层研究 | 第17-19页 |
| 1.3.5 柔性MOTFT存在的问题 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的研究目的与意义 | 第20-21页 |
| 第二章 实验制备技术与表征方法 | 第21-25页 |
| 2.1 实验制备技术 | 第21-22页 |
| 2.1.1 磁控溅射原理 | 第21-22页 |
| 2.1.1.1 直流磁控溅射 | 第21页 |
| 2.1.1.2 射频磁控溅射 | 第21页 |
| 2.1.1.3 脉冲直流磁控溅射 | 第21-22页 |
| 2.2 表征分析方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 X射线反射仪 | 第22页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.3 微波反射光电导衰退光电测试仪 | 第23-24页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 | 第24-25页 |
| 第三章 溅射制备绝缘层的低温/室温工艺 | 第25-38页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 实验步骤 | 第26-27页 |
| 3.3 实验结果分析与讨论 | 第27-37页 |
| 3.3.1 低温HfO_2绝缘层研究 | 第27-32页 |
| 3.3.1.1 Ar气压强的影响 | 第27-29页 |
| 3.3.1.2 退火温度的影响 | 第29-32页 |
| 3.3.2 室温Al_2O_3绝缘层研究 | 第32-37页 |
| 3.3.2.1 Ar气压强的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.2.2 Al_2O_3绝缘层的热稳定性与机械性能 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 溅射制备有源层的室温工艺 | 第38-61页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 实验准备 | 第38页 |
| 4.3 实验结果分析与讨论 | 第38-60页 |
| 4.3.1 叠型有源层结构对室温a-IGZOTFT性能的优化作用 | 第38-40页 |
| 4.3.2 溅射制备a-IGZO有源层室温工艺研究 | 第40-52页 |
| 4.3.2.1 不同溅射方法的比较 | 第40-43页 |
| 4.3.2.2 电压波形调制的脉冲直流磁控溅射技术 | 第43-52页 |
| 4.3.3 叠型有源层结构在不同半导体材料中的应用 | 第52-60页 |
| 4.3.3.1 叠型Nd:IZO/Al_2O_3有源层 | 第53-58页 |
| 4.3.3.2 叠型AZO/Al_2O_3有源层 | 第58-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 全溅射法制备的柔性MOTFT | 第61-68页 |
| 5.1 引言 | 第61页 |
| 5.2 基于HfO_2绝缘层的全溅射低温柔性MOTFT器件 | 第61-63页 |
| 5.3 基于Al_2O_3绝缘层的全溅射室温柔性MOTFT器件 | 第63-67页 |
| 5.3.1 PI衬底上的柔性a-IGZOTFT | 第63-65页 |
| 5.3.2 PEN衬底上的柔性a-IGZOTFT | 第65-67页 |
| 5.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-79页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第79-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 附件 | 第83页 |
