| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 物理气相沉积技术 | 第10-15页 |
| 1.1.1 传统磁控溅射和多弧离子镀技术 | 第10-13页 |
| 1.1.2 离化的物理气相沉积技术 | 第13-15页 |
| 1.2 高功率脉冲磁控溅射技术 | 第15-23页 |
| 1.2.1 高功率脉冲磁控溅射原理及放电特性 | 第15-17页 |
| 1.2.2 高功率脉冲磁控溅射过程中的等离子体性能 | 第17-19页 |
| 1.2.3 高功率脉冲磁控溅射等离子体性能分析方法 | 第19-21页 |
| 1.2.4 高功率脉冲磁控溅射技术的优势与目前存在问题 | 第21-23页 |
| 1.3 本文研究内容和目的 | 第23-24页 |
| 2 实验设备与方法 | 第24-31页 |
| 2.1 实验设备 | 第24-26页 |
| 2.2 实验方法 | 第26-28页 |
| 2.3 分析方法 | 第28-31页 |
| 3 复合HIPIMS 过程中的放电特性 | 第31-40页 |
| 3.1 复合 HIPIMS Ti 靶放电特性的研究 | 第31-36页 |
| 3.1.1 脉冲电压对Ti 靶电压和电流的影响 | 第31-33页 |
| 3.1.2 脉冲宽度对Ti 靶电压和电流的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.3 耦合直流电流对Ti靶电压和电流的影响 | 第35-36页 |
| 3.2 复合HIPIMS Cr靶放电特性的研究 | 第36-38页 |
| 3.2.1 脉冲电压对Cr 靶电压和电流的影响 | 第37-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 4 复合HIPIMS 过程中的等离子体特性 | 第40-48页 |
| 4.1 复合HIPIMSTi靶等离子体特性的研究 | 第40-45页 |
| 4.1.1 脉冲电压对Ti靶等离子体特性的影响 | 第40-41页 |
| 4.1.2 脉冲宽度对Ti靶等离子体特性的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.3 耦合直流电流对Ti靶等离子体特性的影响 | 第43-45页 |
| 4.2 复合HIPIMS Cr靶等离子体特性的研究 | 第45-46页 |
| 4.2.1 脉冲电压对Cr 靶等离子体特性的影响 | 第45-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 5 复合HIPIMS 过程中的基体电流特性 | 第48-53页 |
| 5.1 复合HIPIMS Ti靶基体电流特性的研究 | 第48-51页 |
| 5.1.1 脉冲电压对Ti靶基体电流的影响 | 第48-49页 |
| 5.1.2 脉冲宽度对 Ti靶基体电流的影响 | 第49-50页 |
| 5.1.3 耦合直流电流对Ti靶基体电流的影响 | 第50-51页 |
| 5.2 复合HIPIMS Cr靶基体电流特性的研究 | 第51-52页 |
| 5.2.1 脉冲电压对Cr 靶基体电流的影响 | 第51-52页 |
| 5.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 6 复合 HIPIMS Ti薄膜沉积 | 第53-74页 |
| 6.1 复合 HIPIMS Ti薄膜沉积速率 | 第53-56页 |
| 6.1.1 脉冲电压对Ti薄膜沉积速率的影响 | 第53-54页 |
| 6.1.2 脉冲宽度对 Ti薄膜沉积速率的影响 | 第54-55页 |
| 6.1.3 耦合直流电流对Ti薄膜沉积速率的影响 | 第55-56页 |
| 6.2 复合 HIPIMS Ti薄膜微观结构 | 第56-67页 |
| 6.2.1 脉冲电压对Ti薄膜微观结构的影响 | 第56-60页 |
| 6.2.2 脉冲宽度对 Ti薄膜微观结构的影响 | 第60-63页 |
| 6.2.3 耦合直流电流对Ti薄膜微观结构的影响 | 第63-67页 |
| 6.3 复合 HIPIMS Ti薄膜力学性能 | 第67-72页 |
| 6.3.1 脉冲电压对Ti薄膜力学性能的影响 | 第67-69页 |
| 6.3.2 脉冲宽度对Ti薄膜力学性能的影响 | 第69-71页 |
| 6.3.3 耦合直流电流对Ti薄膜力学性能的影响 | 第71-72页 |
| 6.4 本章小结 | 第72-74页 |
| 7 结论与展望 | 第74-75页 |
| 7.1 结论 | 第74页 |
| 7.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 在学研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
