| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 垂直腔面发射激光器的历史与发展 | 第10-13页 |
| 1.1.1 垂直腔面发射激光器的历史 | 第10-11页 |
| 1.1.2 垂直腔面发射激光器的发展 | 第11-13页 |
| 1.2 垂直腔面发射激光器的特点与应用 | 第13-15页 |
| 1.2.1 垂直腔面发射激光器的特点 | 第13-15页 |
| 1.2.2 垂直腔面发射激光器的应用 | 第15页 |
| 1.3 长波长垂直腔面发射激光器的研究存在问题 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的研究工作 | 第16-18页 |
| 第二章 MOCVD 外延技术 | 第18-30页 |
| 2.1 MOCVD 外延生长原理 | 第18-21页 |
| 2.1.1 外延技术种类 | 第18-19页 |
| 2.1.2 MOCVD 外延技术生长原理 | 第19-21页 |
| 2.2 MOCVD 外延生长系统 | 第21-29页 |
| 2.2.1 源供给系统 | 第22-23页 |
| 2.2.2 气体输运和流量控制系统 | 第23-24页 |
| 2.2.3 反应室与装载室(LoadLock) | 第24-26页 |
| 2.2.4 温度控制系统 | 第26-27页 |
| 2.2.5 有毒气体的处理（TGA）系统 | 第27-28页 |
| 2.2.6 在位监测系统 EPIMETRIC | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 垂直腔面发射激光器(VCSEL) | 第30-44页 |
| 3.1 垂直腔面发射激光器的工作原理 | 第30-32页 |
| 3.1.1 VCSEL 原理 | 第30-31页 |
| 3.1.2 影响 VCSEL 因素 | 第31-32页 |
| 3.2 垂直腔面发射激光器的结构理论计算 | 第32-36页 |
| 3.2.1 DBR 反射镜 | 第32-33页 |
| 3.2.2 量子阱有源区 | 第33-36页 |
| 3.3 GaInNAs/GaAs 量子阱材料 | 第36-39页 |
| 3.3.1 GaInNAs 材料特性 | 第36-39页 |
| 3.5 GaInNAs/GaAs 的应变量子阱增益计算 | 第39-42页 |
| 3.5.1 应变对量子阱的影响 | 第39-40页 |
| 3.5.2 GaInNAs/GaAs 的 QW 能带 | 第40-41页 |
| 3.5.3 GaInNAs/GaAs 的 QW 增益 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 垂直腔面发射激光器的模拟计算 | 第44-60页 |
| 4.1 模拟软件 PICS3D | 第44-45页 |
| 4.1.1 PICS3D | 第44-45页 |
| 4.2 模拟计算分析 | 第45-56页 |
| 4.2.1 DBR 模拟 | 第45-47页 |
| 4.2.2 量子阱有源区 | 第47-48页 |
| 4.2.3 850nm GaAs/ AlGaAs VCSEL 模拟 | 第48-52页 |
| 4.2.4 980nm GaInAs/GaAs VCSEL 模拟 | 第52-56页 |
| 4.3 实验测试结果 | 第56-58页 |
| 4.3.1 850nm VCSEL 测试结果 | 第56-57页 |
| 4.3.2 980nmVCSEL 测试结果 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 GaInNAs 材料的生长与测试 | 第60-70页 |
| 5.1 GaInNAs 材料 | 第60-61页 |
| 5.2 GaInNAs 材料的 MOCVD 生长 | 第61-62页 |
| 5.2.1 生长方案的确定 | 第61-62页 |
| 5.2.2 本实验 GaInNAs 材料的 MOCVD 生长 | 第62页 |
| 5.3 外延材料质量检测 | 第62-69页 |
| 5.3.1 InGaAs 材料测试 | 第62-65页 |
| 5.3.2 GaInNAs 材料测试 | 第65-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第76-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
