摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-23页 |
1.1 非晶碳膜概述 | 第9-14页 |
1.1.1 非晶碳膜分类 | 第9-10页 |
1.1.2 非晶碳膜性能及应用 | 第10-11页 |
1.1.3 非晶碳膜研究现状 | 第11-13页 |
1.1.4 疏水非晶碳膜研究现状 | 第13-14页 |
1.2 固体表面疏水性能 | 第14-18页 |
1.2.1 理论基础 | 第15-16页 |
1.2.2 疏水性能影响因素 | 第16-18页 |
1.3 掺杂改性GLC薄膜的磁控溅射技术 | 第18-20页 |
1.3.1 闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术 | 第18-19页 |
1.3.2 溅射薄膜的结构区域模型 | 第19-20页 |
1.4 本课题的研究目的和意义 | 第20-21页 |
1.5 本课题的研究内容和技术路线 | 第21-23页 |
1.5.1 研究内容 | 第21-22页 |
1.5.2 技术路线 | 第22-23页 |
2 实验设备及方法 | 第23-29页 |
2.1 薄膜制备 | 第23-26页 |
2.1.1 薄膜溅射沉积设备 | 第23页 |
2.1.2 基片材料预处理 | 第23页 |
2.1.3 薄膜制备工艺 | 第23-26页 |
2.2 薄膜的表征 | 第26-29页 |
2.2.1 元素成分及价键结构 | 第26页 |
2.2.2 沉积形貌特征 | 第26-27页 |
2.2.3 疏水性能 | 第27-29页 |
3 溅射参数对Cr-GLC薄膜成分及结构性能的影响 | 第29-45页 |
3.1 溅射参数对Cr-GLC薄膜疏水性的影响 | 第29-30页 |
3.2 溅射参数对Cr-GLC薄膜成分及碳键结构的影响 | 第30-34页 |
3.2.1 基片偏压对Cr-GLC薄膜成分及碳键结构的影响 | 第30-32页 |
3.2.2 C靶电流对Cr-GLC薄膜成分及碳键结构的影响 | 第32-34页 |
3.3 溅射参数对Cr-GLC薄膜沉积形貌的影响 | 第34-40页 |
3.3.1 基片偏压对Cr-GLC薄膜沉积形貌的影响 | 第34-37页 |
3.3.2 C靶电流对Cr-GLC薄膜沉积形貌的影响 | 第37-40页 |
3.4 溅射参数对Cr-GLC薄膜表面能的影响 | 第40-41页 |
3.5 Cr-GLC薄膜微观特征与疏水性能的关系 | 第41-43页 |
3.6 本章小结 | 第43-45页 |
4 掺杂组元对X/Cr-GLC薄膜成分及结构性能的影响 | 第45-67页 |
4.1 不同掺杂组元对X/Cr-GLC薄膜成分及结构性能的影响 | 第45-54页 |
4.1.1 薄膜的疏水性 | 第45-46页 |
4.1.2 薄膜的成分及价键结构 | 第46-50页 |
4.1.3 薄膜的沉积形貌 | 第50-52页 |
4.1.4 薄膜的表面能 | 第52-54页 |
4.2 掺Al和Si量对X/Cr-GLC薄膜成分及结构性能的影响 | 第54-64页 |
4.2.1 薄膜的疏水性 | 第54-55页 |
4.2.2 薄膜的成分及价键结构 | 第55-57页 |
4.2.3 薄膜的沉积形貌 | 第57-61页 |
4.2.4 薄膜的表面能 | 第61-64页 |
4.3 X/Cr-GLC薄膜微观特征与疏水性能的关系 | 第64-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
5 结论 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |