摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-26页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 二维过渡金属硫族化合物简介 | 第10-13页 |
1.3 二硫化钨和二硒化钨的结构 | 第13页 |
1.4 二维过渡金属硫族化合物的制备方法 | 第13-19页 |
1.4.1 微机械力剥离法 | 第14页 |
1.4.2 液相超声剥离法 | 第14-15页 |
1.4.3 嵌锂插层剥离法 | 第15页 |
1.4.4 化学气相沉积法 | 第15-19页 |
1.5 二维过渡金属硫族化合物材料的典型应用 | 第19-25页 |
1.5.1 场效应晶体管应用 | 第19-20页 |
1.5.2 传感器方面的应用 | 第20-21页 |
1.5.3 光电探测器件方面的应用 | 第21-24页 |
1.5.4 储能方面的应用 | 第24-25页 |
1.6 论文选题及研究的主要内容 | 第25-26页 |
第二章 制备二硫化钨和二硒化钨的实验研究 | 第26-39页 |
2.1 实验试剂及耗材 | 第26-27页 |
2.2 实验仪器 | 第27页 |
2.3 实验方案设计 | 第27-29页 |
2.4 生长窗口和最佳制备条件的探究 | 第29-33页 |
2.4.1 氯化钾与三氧化钨配比的探究 | 第29-30页 |
2.4.2 生长温度和时间的探究 | 第30-31页 |
2.4.3 载气流量和成分的探究 | 第31-32页 |
2.4.4 硫或硒加热温度的探究 | 第32-33页 |
2.5 二维二硫化钨和二硒化钨的制备实验 | 第33-34页 |
2.6 目标样品的转移 | 第34-39页 |
2.6.1 “WedgingMethod”转移法 | 第34-35页 |
2.6.2 “化学刻蚀基底”转移法 | 第35-36页 |
2.6.3 “roll-to-roll”转移法 | 第36页 |
2.6.4 干法转移技术 | 第36-37页 |
2.6.5 PVA转移技术 | 第37-39页 |
第三章 二维二硫化钨和二硒化钨的表征分析 | 第39-45页 |
3.1 引言 | 第39页 |
3.2 材料的表征与分析 | 第39-44页 |
3.2.1 光学显微镜和扫描电子显微镜表征 | 第39-40页 |
3.2.2 拉曼光谱表征 | 第40-41页 |
3.2.3 光致发光光谱表征 | 第41-42页 |
3.2.4 透射电子显微镜表征 | 第42-43页 |
3.2.5 原子力显微镜表征 | 第43-44页 |
3.3 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 卤化物辅助生长二硫化钨和二硒化钨机理的探究 | 第45-52页 |
4.1 引言 | 第45页 |
4.2 卤化物在气相传输反应体系中的辅助作用的探究 | 第45-48页 |
4.2.1 气相传输反应体系 | 第45-46页 |
4.2.2 气相传输反应的几种类型 | 第46-47页 |
4.2.3 卤素辅助气相传输反应的机理分析 | 第47-48页 |
4.3 卤化物辅助的CVD制备二维二硫化钨和二硒化钨的实验机理探究 | 第48-51页 |
4.3.1 不同卤化物辅助生长二维二硫化钨 | 第48-49页 |
4.3.2 不同阳离子、卤素离子及不同温度下卤化物辅助二硫化钼的生长 | 第49-50页 |
4.3.3 卤化物辅助生长二维二硫化钼单晶 | 第50-51页 |
4.4 卤化物辅助CVD制备钨基TMDCs单晶生长机理的探讨 | 第51-52页 |
第五章 二硫化钨和二硒化钨场效应晶体管的制备及性能 | 第52-59页 |
5.1 引言 | 第52页 |
5.2 场效应晶体管简介 | 第52-54页 |
5.2.1 场效应晶体管的结构 | 第52-53页 |
5.2.2 场效应晶体管的工作原理 | 第53-54页 |
5.2.3 场效应晶体管的性能参数 | 第54页 |
5.3 二维过渡金属硫族化合物在场效应晶体管方面应用的研究现状 | 第54-57页 |
5.3.1 单级型场效应晶体管 | 第54-55页 |
5.3.2 双极型场效应晶体管 | 第55-56页 |
5.3.3 二维TMDCs场效应晶体管性能影响因素的研究 | 第56-57页 |
5.4 单层二硫化钨和二硒化钨场效应晶体管 | 第57-58页 |
5.5 本章小结 | 第58-59页 |
结论 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
致谢 | 第66-67页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第67-68页 |