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卤化物辅助制备二维二硫化钨/二硒化钨及性能研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第一章 绪论第9-26页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 二维过渡金属硫族化合物简介第10-13页
    1.3 二硫化钨和二硒化钨的结构第13页
    1.4 二维过渡金属硫族化合物的制备方法第13-19页
        1.4.1 微机械力剥离法第14页
        1.4.2 液相超声剥离法第14-15页
        1.4.3 嵌锂插层剥离法第15页
        1.4.4 化学气相沉积法第15-19页
    1.5 二维过渡金属硫族化合物材料的典型应用第19-25页
        1.5.1 场效应晶体管应用第19-20页
        1.5.2 传感器方面的应用第20-21页
        1.5.3 光电探测器件方面的应用第21-24页
        1.5.4 储能方面的应用第24-25页
    1.6 论文选题及研究的主要内容第25-26页
第二章 制备二硫化钨和二硒化钨的实验研究第26-39页
    2.1 实验试剂及耗材第26-27页
    2.2 实验仪器第27页
    2.3 实验方案设计第27-29页
    2.4 生长窗口和最佳制备条件的探究第29-33页
        2.4.1 氯化钾与三氧化钨配比的探究第29-30页
        2.4.2 生长温度和时间的探究第30-31页
        2.4.3 载气流量和成分的探究第31-32页
        2.4.4 硫或硒加热温度的探究第32-33页
    2.5 二维二硫化钨和二硒化钨的制备实验第33-34页
    2.6 目标样品的转移第34-39页
        2.6.1 “WedgingMethod”转移法第34-35页
        2.6.2 “化学刻蚀基底”转移法第35-36页
        2.6.3 “roll-to-roll”转移法第36页
        2.6.4 干法转移技术第36-37页
        2.6.5 PVA转移技术第37-39页
第三章 二维二硫化钨和二硒化钨的表征分析第39-45页
    3.1 引言第39页
    3.2 材料的表征与分析第39-44页
        3.2.1 光学显微镜和扫描电子显微镜表征第39-40页
        3.2.2 拉曼光谱表征第40-41页
        3.2.3 光致发光光谱表征第41-42页
        3.2.4 透射电子显微镜表征第42-43页
        3.2.5 原子力显微镜表征第43-44页
    3.3 本章小结第44-45页
第四章 卤化物辅助生长二硫化钨和二硒化钨机理的探究第45-52页
    4.1 引言第45页
    4.2 卤化物在气相传输反应体系中的辅助作用的探究第45-48页
        4.2.1 气相传输反应体系第45-46页
        4.2.2 气相传输反应的几种类型第46-47页
        4.2.3 卤素辅助气相传输反应的机理分析第47-48页
    4.3 卤化物辅助的CVD制备二维二硫化钨和二硒化钨的实验机理探究第48-51页
        4.3.1 不同卤化物辅助生长二维二硫化钨第48-49页
        4.3.2 不同阳离子、卤素离子及不同温度下卤化物辅助二硫化钼的生长第49-50页
        4.3.3 卤化物辅助生长二维二硫化钼单晶第50-51页
    4.4 卤化物辅助CVD制备钨基TMDCs单晶生长机理的探讨第51-52页
第五章 二硫化钨和二硒化钨场效应晶体管的制备及性能第52-59页
    5.1 引言第52页
    5.2 场效应晶体管简介第52-54页
        5.2.1 场效应晶体管的结构第52-53页
        5.2.2 场效应晶体管的工作原理第53-54页
        5.2.3 场效应晶体管的性能参数第54页
    5.3 二维过渡金属硫族化合物在场效应晶体管方面应用的研究现状第54-57页
        5.3.1 单级型场效应晶体管第54-55页
        5.3.2 双极型场效应晶体管第55-56页
        5.3.3 二维TMDCs场效应晶体管性能影响因素的研究第56-57页
    5.4 单层二硫化钨和二硒化钨场效应晶体管第57-58页
    5.5 本章小结第58-59页
结论第59-61页
参考文献第61-66页
致谢第66-67页
攻读学位期间发表的学术论文第67-68页

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