| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 g-C_3N_4光催化概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 g-C_3N_4光催化剂的发展和结构研究 | 第12-13页 |
| 1.2.2 g-C_3N_4光催化剂的应用 | 第13页 |
| 1.2.3 g-C_3N_4光催化剂的光催化机理 | 第13-14页 |
| 1.3 g-C_3N_4光催化剂的合成方法 | 第14-16页 |
| 1.3.1 高温聚合法 | 第15页 |
| 1.3.2 溶剂热合成法 | 第15页 |
| 1.3.3 电化学沉积法 | 第15页 |
| 1.3.4 高压合成法 | 第15-16页 |
| 1.3.5 固相合成法 | 第16页 |
| 1.4 g-C_3N_4的改性 | 第16-17页 |
| 1.4.1 与其他半导体材料形成异质结 | 第16页 |
| 1.4.2 化学元素掺杂改性 | 第16页 |
| 1.4.3 形貌调控 | 第16-17页 |
| 1.4.4 贵金属沉积 | 第17页 |
| 1.4.5 其他方法 | 第17页 |
| 1.5 课题的研究目的及研究内容 | 第17-20页 |
| 1.5.1 课题的研究目的 | 第17-18页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 TiO_2纳米棒/g-C_3N_4纳米片表面异质结的制备及光催化性能研究 | 第20-35页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 实验部分 | 第21-24页 |
| 2.2.1 实验试剂与仪器 | 第21页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第21-22页 |
| 2.2.3 实验方法 | 第22-23页 |
| 2.2.4 材料表征 | 第23页 |
| 2.2.5 材料性能测试 | 第23-24页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第24-33页 |
| 2.3.1 晶体结构分析 | 第24-25页 |
| 2.3.2 微观形貌和晶格结构分析 | 第25-27页 |
| 2.3.3 质构特性与带隙 | 第27-28页 |
| 2.3.4 表面化学状态分析 | 第28-30页 |
| 2.3.5 光催化性能分析 | 第30-33页 |
| 2.3.6 光催化机理探讨 | 第33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 La掺杂g-C_3N_4光催化材料的合成及掺杂比例对其光催化性能影响的研究 | 第35-46页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 实验部分 | 第36-38页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第36页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第36页 |
| 3.2.3 实验方法 | 第36-37页 |
| 3.2.4 材料表征 | 第37页 |
| 3.2.5 材料的光催化性能测试 | 第37-38页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第38-44页 |
| 3.3.1 晶体结构分析 | 第38页 |
| 3.3.2 微观形貌分析 | 第38-39页 |
| 3.3.3 质构特性与带隙 | 第39-41页 |
| 3.3.4 表面化学状态分析 | 第41-42页 |
| 3.3.5 光催化性能分析 | 第42-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 Gd掺杂g-C_3N_4光催化材料的合成及掺杂比例对其光催化性能影响的研究 | 第46-56页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 实验部分 | 第46-48页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第46-47页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第47页 |
| 4.2.3 实验方法 | 第47页 |
| 4.2.4 材料表征 | 第47页 |
| 4.2.5 材料性能测试 | 第47-48页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第48-55页 |
| 4.3.1 晶体结构分析 | 第48-49页 |
| 4.3.2 微观形貌分析 | 第49-50页 |
| 4.3.3 表面化学状态分析 | 第50-51页 |
| 4.3.4 质构特性与带隙 | 第51-53页 |
| 4.3.5 光催化性能分析 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 攻读硕士期间获得研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
