摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 本课题的研究背景与意义 | 第8-9页 |
1.2 LED简介 | 第9-11页 |
1.3 GaN基高压LED简介 | 第11-13页 |
1.4 GaN基高压LED的研究现状 | 第13-14页 |
1.5 本课题的主要研究内容 | 第14-16页 |
第2章 优化的粗化p-GaN技术 | 第16-28页 |
2.1 实验原理 | 第16-17页 |
2.2 样品制备 | 第17-20页 |
2.3 结果分析 | 第20-26页 |
2.4 本章小结 | 第26-28页 |
第3章 GaN基高压LED电学性能的研究 | 第28-41页 |
3.1 电极结构的设计 | 第28-31页 |
3.2 正向漏电流研究 | 第31-40页 |
3.3 本章小结 | 第40-41页 |
第4章 隔离沟槽的形态对GaN基高压LED光电性能的影响 | 第41-49页 |
4.1 实验原理 | 第41页 |
4.2 样品制备 | 第41-42页 |
4.3 结果分析 | 第42-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-49页 |
第5章 交流GaN基高压LED的设计优化 | 第49-61页 |
5.1 实验原理 | 第49-50页 |
5.2 样品制备 | 第50-52页 |
5.3 直流和交流GaN基高压LED的对比分析 | 第52-55页 |
5.4 交流高压LED的设计优化 | 第55-59页 |
5.5 本章小结 | 第59-61页 |
第6章 总结 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-70页 |
附录:攻读硕士期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |