| 摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-13页 |
| 符号表 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 人类照明技术的发展史 | 第15页 |
| 1.2 LED的发展历史 | 第15-17页 |
| 1.3 LED发展遇到的问题 | 第17-19页 |
| 1.4 本论文的研究内容与主要安排 | 第19-22页 |
| 参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物半导体的基本性质与原理 | 第25-35页 |
| 2.1 半导体载流子的基本复合过程 | 第25-27页 |
| 2.1.1 辐射复合 | 第25-26页 |
| 2.1.2 非辐射复合 | 第26-27页 |
| 2.2 GaN基半导体材料的基本结构与性质 | 第27-30页 |
| 2.3 GaN基LED的基本性质发光原理 | 第30-34页 |
| 2.3.1 GaN基LED的基本性质 | 第30-32页 |
| 2.3.2 GaN基LED的发光原理 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 GaN基(纳米柱)LED的制备与表征方法 | 第35-50页 |
| 3.1 GaN基材料的一般生长方法 | 第35-36页 |
| 3.2 GaN基纳米柱LED制备方法 | 第36-42页 |
| 3.2.1 等离子体增强化学的气相沉积(PECVD) | 第36-37页 |
| 3.2.2 电子束曝光(EBL) | 第37-39页 |
| 3.2.3 电子束蒸镀(E-beam evaporation) | 第39-40页 |
| 3.2.4 电感耦合离子体(ICP)刻蚀 | 第40-42页 |
| 3.3 GaN基材料的一般表征方法 | 第42-44页 |
| 3.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第42-43页 |
| 3.3.2 高分辨透射电子显微镜(HRTEM) | 第43页 |
| 3.3.3 拉曼(Raman)光谱 | 第43-44页 |
| 3.3.5 光致发光(PL)光谱 | 第44页 |
| 3.4 本研究所用样品的制备 | 第44-48页 |
| 3.4.1 原位样品制备 | 第44-46页 |
| 3.4.2 纳米柱LED样品制备 | 第46-47页 |
| 3.4.3 实验测量 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 InGaN/GaN多量子阱基纳米柱LED实验分析 | 第50-67页 |
| 4.1 样品表征分析 | 第51-53页 |
| 4.1.1 HRTEM表征分析 | 第51页 |
| 4.1.2 SEM表征分析 | 第51-52页 |
| 4.1.3 Raman光谱分析 | 第52-53页 |
| 4.2 光学特性分析 | 第53-61页 |
| 4.2.1 PL光谱分析 | 第53-55页 |
| 4.2.2 PL峰位分析 | 第55-59页 |
| 4.2.3 能带结构分析 | 第59-60页 |
| 4.2.4 样品的外量子效率分析 | 第60-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 第五章 InGaN/GaN多量子阱基纳米柱LED仿真分析 | 第67-82页 |
| 5.1 数值分析方法概述 | 第67-73页 |
| 5.1.1 Rsoft-Fullwave概述 | 第67-68页 |
| 5.1.2 FDTD算法 | 第68-70页 |
| 5.1.3 发光效率 | 第70-72页 |
| 5.1.4 Rsoft-Fullwave模型参数 | 第72-73页 |
| 5.2 Rsoft-Fullwave仿真 | 第73-79页 |
| 5.2.1 Rsoft-Fullwave模型 | 第73-74页 |
| 5.2.2 Rsoft-Fullwave仿真分析 | 第74-79页 |
| 5.3 本章小结 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 6.1 工作总结 | 第82-83页 |
| 6.2 工作展望 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 硕士期间发表学术论文目录 | 第85-87页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第87页 |
