| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 太赫兹波概述 | 第10-11页 |
| 1.2 太赫兹波的特性和应用 | 第11-12页 |
| 1.3 太赫兹调控技术简介 | 第12-17页 |
| 1.4 论文研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 氮化镓材料及其异质结器件 | 第19-28页 |
| 2.1 GaN基材料特性 | 第19-21页 |
| 2.2 二维电子气的产生原理 | 第21-24页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT结构和工作原理 | 第24-28页 |
| 第三章 HEMT器件的制备和电学性能研究 | 第28-46页 |
| 3.1 HEMT器件的尺寸设计和版图绘制 | 第28-30页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT器件的具体工艺步骤 | 第30-38页 |
| 3.2.1 AlGaN/GaN HEMT的外延生长 | 第30页 |
| 3.2.2 AlGaN/GaN HEMT有源区的刻蚀 | 第30-32页 |
| 3.2.3 AlGaN/GaN HEMT的源漏欧姆接触 | 第32-35页 |
| 3.2.4 AlGaN/GaN HEMT的表面钝化开孔 | 第35-37页 |
| 3.2.5 AlGaN/GaN HEMT栅极金属蒸发 | 第37-38页 |
| 3.3 AlGaN/GaN HEMT器件的电学性能测试 | 第38-44页 |
| 3.3.1 线形传输线模型 | 第38-40页 |
| 3.3.2 AlGaN/GaN HEMT的转移和输出特性 | 第40-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 太赫兹调制器件的制备和性能研究 | 第46-62页 |
| 4.1 超材料的仿真与其和HEMT相结合的版图绘制 | 第46-50页 |
| 4.1.1 超材料的设计和仿真 | 第46-49页 |
| 4.1.2 调制器件的版图设计和绘制 | 第49-50页 |
| 4.2 太赫兹调制器件的制备 | 第50-54页 |
| 4.2.1 调制器件有源区刻蚀与欧姆金属接触 | 第50-51页 |
| 4.2.2 调制器件栅条的制备 | 第51-52页 |
| 4.2.3 调制器件介质层沉积和开孔 | 第52-53页 |
| 4.2.4 调制器件的超材料层制备 | 第53-54页 |
| 4.3 THz调制器件的测试 | 第54-60页 |
| 4.3.1 调制器件的TDS测试 | 第54-59页 |
| 4.3.2 调制器件的动态测试 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 全文结论与展望 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 硕士期间所取得的研究成果 | 第70-71页 |
