| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 研究的背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 论文的主要研究内容与章节安排 | 第16-17页 |
| 第二章 EFT敏感度测试方法分析 | 第17-25页 |
| 2.1 EFT脉冲信号特性分析 | 第17-19页 |
| 2.1.1 EFT的产生机理 | 第17页 |
| 2.1.2 EFT信号特性分析 | 第17-19页 |
| 2.2 EFT敏感度测试方法 | 第19-24页 |
| 2.2.1 系统级EFT敏感度测试方法 | 第19-21页 |
| 2.2.2 IC级EFT敏感度测试方法 | 第21-24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 不同EFT干扰下的微处理器敏感度测试 | 第25-41页 |
| 3.1 EFT测试配置 | 第25-31页 |
| 3.1.1 测试平台搭建 | 第25-28页 |
| 3.1.2 测试PCB设计 | 第28-30页 |
| 3.1.3 测试软件设计与实现 | 第30-31页 |
| 3.2 微处理器失效类型分析 | 第31-33页 |
| 3.2.1 自动重启 | 第31-32页 |
| 3.2.2 手动复位 | 第32页 |
| 3.2.3 上电恢复 | 第32-33页 |
| 3.2.4 物理损坏 | 第33页 |
| 3.3 微处理器EFT测试流程和结果分析 | 第33-40页 |
| 3.3.1 基本测试规范和流程 | 第34-35页 |
| 3.3.2 测试结果等级定义 | 第35页 |
| 3.3.3 测试结果分析 | 第35-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 加速老化对微处理器EFT敏感度的影响 | 第41-60页 |
| 4.1 集成电路EMC敏感度变化的影响 | 第41-42页 |
| 4.2 老化EFT测试设置 | 第42-45页 |
| 4.2.1 老化试验简介 | 第42-43页 |
| 4.2.2 加速老化方案选择 | 第43-44页 |
| 4.2.3 老化EFT测试基本流程 | 第44-45页 |
| 4.3 微处理器老化损耗机理分析 | 第45-49页 |
| 4.4 加速老化对微处理器EFT敏感度的影响和分析 | 第49-59页 |
| 4.4.1 高温老化对微处理器EFT敏感度的影响 | 第50-55页 |
| 4.4.2 高低温老化对微处理器EFT敏感度的影响 | 第55-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 5.1 研究成果归纳与总结 | 第60页 |
| 5.2 本研究的不足与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第68页 |