基于CMOS工艺的高精度逐次逼近ADC设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 引言 | 第9-12页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 文章主要内容 | 第10页 |
| 1.3 论文分章节内容介绍 | 第10-12页 |
| 第2章 逐次逼近ADC概述 | 第12-24页 |
| 2.1 逐次逼近ADC的工作原理 | 第12-13页 |
| 2.2 逐次逼近型ADC性能指标 | 第13-19页 |
| 2.2.1 静态指标 | 第14-17页 |
| 2.2.2 动态指标 | 第17-19页 |
| 2.3 几种常用的逐次逼近ADC结构 | 第19-22页 |
| 2.3.1 电流定标SAR ADC | 第19-20页 |
| 2.3.2 电压定标SAR ADC | 第20-21页 |
| 2.3.3 电荷定标SAR ADC | 第21-22页 |
| 2.4 逐次逼近ADC的研究现状 | 第22-24页 |
| 第3章 同步型逐次逼近ADC系统设计实现 | 第24-40页 |
| 3.1 DAC电容阵列设计 | 第24-29页 |
| 3.1.1 分段电容设计 | 第25-26页 |
| 3.1.2 分段设计误差分析 | 第26-29页 |
| 3.2 校准电路设计 | 第29-37页 |
| 3.2.1 校准方法介绍 | 第29-31页 |
| 3.2.2 校准原理 | 第31-33页 |
| 3.2.3 校准电路 | 第33-37页 |
| 3.3 单位电容选择 | 第37页 |
| 3.4 比较器设计 | 第37-40页 |
| 第4章 同步型逐次逼近ADC数字校正系统设计 | 第40-52页 |
| 4.1 数字校准电路 | 第41-47页 |
| 4.1.1. CDAC控制单元 | 第42-46页 |
| 4.1.2. 失调码计算单元 | 第46-47页 |
| 4.2 主电容阵列控制电路 | 第47-49页 |
| 4.2.1 转换过程控制单元 | 第47-49页 |
| 4.3 开关控制电路设计 | 第49-50页 |
| 4.4 时钟复位设计 | 第50-52页 |
| 第5章 高精度同步型逐次逼近ADC仿真及版图设计 | 第52-64页 |
| 5.1 数字模块仿真 | 第52-56页 |
| 5.1.1 仿真架构 | 第52-55页 |
| 5.1.2 数字仿真波形 | 第55-56页 |
| 5.2 数模联合仿真 | 第56-59页 |
| 5.3 版图设计 | 第59-62页 |
| 5.3.1 数字部分版图设计 | 第59-60页 |
| 5.3.2 整体版图设计 | 第60-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第6章 结论 | 第64-65页 |
| 展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
