| 中文摘要 | 第5-6页 |
| 英文摘要 | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第7-25页 |
| 1．1 引言 | 第7-8页 |
| 1．2 SiC的历史背景，发展状况及应用前景 | 第8-12页 |
| 1．2．1 历史背景 | 第8-9页 |
| 1．2．2 SiC的发展状况 | 第9-11页 |
| 1．2．3 SiC的应用前景 | 第11-12页 |
| 1．3 SiC的结构特性和技术特性 | 第12-16页 |
| 1．3．1 结构特性 | 第12-15页 |
| 1．3．2 技术性质 | 第15-16页 |
| 1．4 SiC常用的制备方法 | 第16-20页 |
| 1．5 SiC薄膜的表征方法 | 第20-23页 |
| 1．5．1 傅立叶红外光谱（FTlR） | 第21页 |
| 1．5．2 拉曼光谱（Ramen） | 第21-22页 |
| 1．5．3 X射线光电子能谱（XPS） | 第22页 |
| 1．5．4 X射线衍射谱（XRD） | 第22-23页 |
| 1．6 SiC薄膜面临的问题 | 第23-24页 |
| 1．7 本文研究的主要内容 | 第24-25页 |
| 第2章 触媒CVD方法的发展状况 | 第25-32页 |
| 2．1 概述 | 第25-30页 |
| 2．1．1 历史概况 | 第25-26页 |
| 2．1．2 Cat-CVD法制备Si系材料的进展及成果 | 第26-27页 |
| 2．1．3 SiC的制备 | 第27-30页 |
| 2．2 纳米晶Si薄膜的制备 | 第30页 |
| 2．3 Cat-CVD技术面临的亟待解决的问题 | 第30-31页 |
| 2．3．1 Cat-CVD的模拟计算 | 第30-31页 |
| 2．3．2 Cat-CVD的低温生长特性研究 | 第31页 |
| 2．4 Cat-CVD与其它技术的结合 | 第31-32页 |
| 第3章 工艺参数纳米β-SiC薄膜的对成份、结构的影响 | 第32-62页 |
| 3．1 引言 | 第32页 |
| 3．2 工作气压及H_2稀释度的影响 | 第32-37页 |
| 3．2．1 引言 | 第32页 |
| 3．2．2 实验方法及样品制备 | 第32-33页 |
| 3．2．3 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 3．3 距离（衬底到热丝）的影响 | 第37-41页 |
| 3．3．1 引言 | 第37页 |
| 3．3．2 实验方法 | 第37-38页 |
| 3．3．3 结果与讨论 | 第38-41页 |
| 3．4 反应气体比例及钨丝温度的影响 | 第41-45页 |
| 3．4．1 引言 | 第41-42页 |
| 3．4．2 实验方法及样品制备 | 第42页 |
| 3．4．3 结果与讨论 | 第42-45页 |
| 3．5 分步碳化法制备纳米β-SiC薄膜 | 第45-49页 |
| 3．5．1 引言 | 第45页 |
| 3．5．2 实验方法 | 第45-46页 |
| 3．5．3 结果与讨论 | 第46-49页 |
| 3．6 负偏压法制备纳米β-SiC薄膜 | 第49-61页 |
| 3．6．1 引言 | 第49页 |
| 3．6．2 负偏压法增强核化机制 | 第49-51页 |
| 3．6．3 负偏压法制备纳米β-SiC薄膜 | 第51-61页 |
| 3．6．3．1 引言 | 第51页 |
| 3．6．3．2 实验方法 | 第51页 |
| 3．6．3．3 结果与讨论 | 第51-61页 |
| 3．7 本章小结 | 第61-62页 |
| 第4章 纳米β-SiC薄膜的光吸收分析 | 第62-74页 |
| 4．1 引言 | 第62页 |
| 4．2 半导体材料的带隙吸收 | 第62-65页 |
| 4．3 薄膜材料光吸收系数的计算 | 第65-70页 |
| 4．4 纳米β-SiC薄膜的光吸收分析 | 第70-73页 |
| 4．4．1 样品的制备 | 第70页 |
| 4．4．2 纳米β-SiC薄膜的光学性质 | 第70-73页 |
| 4．5 本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81页 |