| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究的背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 自旋转移矩磁存储器的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 论文主要研究内容与结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 描述磁矩进动的动态方程 | 第14-24页 |
| 2.1 旋磁进动 | 第14-15页 |
| 2.2 Landau-Lifshitz 方程 | 第15-16页 |
| 2.3 Landau-Lifshitz-Gilbert 方程 | 第16-18页 |
| 2.4 归一化 LLG 方程 | 第18页 |
| 2.5 Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski 方程 | 第18-20页 |
| 2.6 龙格库塔法数值求解 | 第20-22页 |
| 2.7 结论 | 第22-24页 |
| 第三章 宏自旋模型 | 第24-32页 |
| 3.1 有效场 | 第25-27页 |
| 3.2 阻尼项 | 第27页 |
| 3.3 热扰动 | 第27-28页 |
| 3.4 自旋转移矩 | 第28-30页 |
| 3.4.1 自旋转移矩磁存储的原理 | 第28-29页 |
| 3.4.2 自旋转移矩密度 | 第29-30页 |
| 3.5 结论 | 第30-32页 |
| 第四章 界面垂直各向异性 | 第32-48页 |
| 4.1 界面垂直各向异性的研究意义 | 第32-33页 |
| 4.2 建立宏自旋理论模型 | 第33-35页 |
| 4.3 模拟结果与讨论 | 第35-46页 |
| 4.3.1 界面垂直各向异性对磁矩阈值翻转电流密度的影响 | 第35-37页 |
| 4.3.2 自由层厚度对磁矩阈值翻转电流密度的影响 | 第37-41页 |
| 4.3.3 自由层厚度对磁矩翻转时间的影响 | 第41-44页 |
| 4.3.4 热扰动对磁矩翻转动态的影响 | 第44-46页 |
| 4.4 结论 | 第46-48页 |
| 第五章 类场自旋转移矩及其影响 | 第48-56页 |
| 5.1 类场自旋转移矩项的研究意义 | 第48页 |
| 5.2 加入类场自旋转移矩项的 LLGS 方程及模型的建立 | 第48-51页 |
| 5.3 模拟结果与讨论 | 第51-55页 |
| 5.3.1 类场自旋转移矩项对磁矩阈值翻转电流密度的影响 | 第51-52页 |
| 5.3.2 类场自旋转移矩项对磁矩翻转时间的影响 | 第52-54页 |
| 5.3.3 热扰动对磁矩翻转动态的影响 | 第54-55页 |
| 5.4 结论 | 第55-56页 |
| 总结与展望 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第66页 |
