808nm高功率半导体激光器封装技术研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 半导体激光器的发展历程 | 第8-9页 |
| 1.2 高功率半导体激光器的国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 高功率半导体激光器的应用 | 第11-13页 |
| 1.3.1 工业应用 | 第11-12页 |
| 1.3.2 军事用途 | 第12-13页 |
| 1.3.3 通信与光存储 | 第13页 |
| 1.3.4 激光医疗 | 第13页 |
| 1.4 半导体激光器封装的类型 | 第13-16页 |
| 1.4.1 TO封装 | 第14页 |
| 1.4.2 Butterfly封装 | 第14-15页 |
| 1.4.3 C-Mount型封装 | 第15-16页 |
| 1.4.4 F-Mount型封装 | 第16页 |
| 1.5 本论文研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 激光器封装结构设计及材料选择 | 第17-25页 |
| 2.1 热沉的材料选择及结构设计 | 第17-19页 |
| 2.1.1 过渡热沉的材料选择及结构设计 | 第17-18页 |
| 2.1.2 底座热沉的材料选择及结构设计 | 第18-19页 |
| 2.2 焊料的选择 | 第19-23页 |
| 2.2.1 芯片与过渡热沉之间的焊料选择 | 第19-22页 |
| 2.2.2 过渡热沉与底座热沉之间的焊料选择 | 第22-23页 |
| 2.3 研究芯片腔面探出位置 | 第23-24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 封装工艺步骤及工艺优化 | 第25-41页 |
| 3.1 前期准备工作 | 第25页 |
| 3.2 芯片焊接 | 第25-27页 |
| 3.3 铟焊料制备 | 第27-29页 |
| 3.4 烧结 | 第29-31页 |
| 3.5 等离子清洗 | 第31-34页 |
| 3.6 金丝键合 | 第34-39页 |
| 3.6.1 引线键合方式 | 第34-36页 |
| 3.6.2 热超声键合基本类型 | 第36-37页 |
| 3.6.3 引线材料及数量 | 第37-38页 |
| 3.6.4 引线线形的选择 | 第38-39页 |
| 3.6.5 金线键合工艺参数设定 | 第39页 |
| 3.7 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 实验结果分析 | 第41-59页 |
| 4.1 芯片外观检查 | 第41-42页 |
| 4.2 剪切力测试 | 第42-47页 |
| 4.2.1 芯片剪切力测试 | 第42-44页 |
| 4.2.2 过渡热沉剪切力测试 | 第44-47页 |
| 4.3 芯片SEM检测 | 第47-48页 |
| 4.4 拉力测试 | 第48-49页 |
| 4.5 光电参数 | 第49-50页 |
| 4.6 热应力 | 第50-53页 |
| 4.7 激光器热阻 | 第53-54页 |
| 4.8 激光器温升 | 第54-56页 |
| 4.9 加速老化试验 | 第56-58页 |
| 4.10 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士期间发表学术成果情况说明 | 第64页 |
