用于辐射探测的新型半导体器件结构仿真研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 研究意义及目的 | 第11页 |
| 1.2 γ射线和X射线与物质相互作用机制 | 第11-13页 |
| 1.3 半导体剂量探测器主要类型与发展现状 | 第13-19页 |
| 1.3.1 MOSFET型探测器 | 第13-15页 |
| 1.3.2 FG-MOS型探测器 | 第15-18页 |
| 1.3.3 国内RADFET研究 | 第18-19页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 SFGT器件射线辐照仿真 | 第21-34页 |
| 2.1 SFGT器件结构与工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2 半浮栅晶体管建模 | 第22-28页 |
| 2.2.1 器件阈值电压变化模型 | 第23-25页 |
| 2.2.2 辐照电子空穴对产生模型 | 第25页 |
| 2.2.3 复合模型 | 第25-26页 |
| 2.2.4 结构参数 | 第26-28页 |
| 2.3 SFGT辐照仿真结果 | 第28-32页 |
| 2.3.1 输出电流分析 | 第28-30页 |
| 2.3.2 阈值电压分析 | 第30-31页 |
| 2.3.3 PN结泄漏电流影响 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第3章 SFGCD器件射线辐照仿真 | 第34-46页 |
| 3.1 SFGCD器件结构与工作原理 | 第34-37页 |
| 3.1.1 驼峰二极管工作原理 | 第34-35页 |
| 3.1.2 SFGCD器件结构 | 第35-37页 |
| 3.2 SFGCD辐照仿真结果 | 第37-44页 |
| 3.2.1 辐照产生电荷收集 | 第37-39页 |
| 3.2.2 阈值电压分析 | 第39-42页 |
| 3.2.3 PN结泄漏电流影响 | 第42-43页 |
| 3.2.4 SiC基SFGCD仿真 | 第43-44页 |
| 3.3 工艺流程 | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 HEMT器件射线辐照仿真 | 第46-59页 |
| 4.1 GaN基材料体系的极化特性 | 第47-49页 |
| 4.2 AlGaN/GaN HEMT辐照仿真 | 第49-58页 |
| 4.2.1 HEMT器件结构与工作原理 | 第49-50页 |
| 4.2.2 AlGaN/GaN异质结辐照仿真 | 第50-53页 |
| 4.2.3 双异质结HEMT高增益辐射探测器件 | 第53-55页 |
| 4.2.4 HEMT高增益辐射探测器件优化 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
