| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第8-13页 |
| 1.2.1 硫化亚铜的性质和应用 | 第8-9页 |
| 1.2.2 硫化亚铜纳米材料 | 第9-13页 |
| 1.2.2.1 Cu_2S纳米结构制备方法 | 第9-12页 |
| 1.2.2.2 Cu_2S纳米结构的性质 | 第12-13页 |
| 1.3 半导体纳米粒子的制备方法-水热/溶剂热法 | 第13-16页 |
| 1.4 层层自组装薄膜 | 第16-17页 |
| 1.5 本课题的研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第19-24页 |
| 2.1 实验材料 | 第19-20页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第19页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第19-20页 |
| 2.2 实验步骤 | 第20-21页 |
| 2.2.1 硫化亚铜纳米粒子的合成方法 | 第20-21页 |
| 2.3 [(APTES)_1(PSS)1(PAH/Cu_2S)_n]多层纳米复合薄膜的组装方法 | 第21-22页 |
| 2.3.1 基底的处理方法 | 第21-22页 |
| 2.3.2 在ITO基底表面制备层层自组装膜 | 第22页 |
| 2.3.3 光电性能测试 | 第22页 |
| 2.4 表征方法 | 第22-23页 |
| 2.4.1 硫化亚铜纳米粒子的表征方法 | 第22页 |
| 2.4.2 纳米薄膜的表征方法 | 第22-23页 |
| 2.4.3 测试样品的预处理 | 第23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 硫化亚铜纳米粒子的制备及其表征分析 | 第24-41页 |
| 3.0 引言 | 第24页 |
| 3.1 实验原理 | 第24页 |
| 3.2 实验结果分析 | 第24-40页 |
| 3.2.1 形貌分析 | 第24-27页 |
| 3.2.2 TGA稳定的Cu_2S纳米粒子的表征 | 第27-36页 |
| 3.2.2.1 XRD的表征 | 第27-28页 |
| 3.2.2.2 HR-TEM的表征 | 第28-31页 |
| 3.2.2.3 EDS与XPS的表征分析 | 第31-36页 |
| 3.2.3 FT-IR的表征 | 第36页 |
| 3.2.4 紫外-可见光光度计吸收（UV-Vis）和荧光分光光度计分析 | 第36-39页 |
| 3.2.5 Zeta电位表征 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 硫化亚铜纳米粒子薄膜的光电性质 | 第41-48页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 硫化亚铜纳米粒子多层薄膜的制备示意图 | 第41-42页 |
| 4.3 硫化亚铜纳米粒子多层薄膜的表征 | 第42-44页 |
| 4.3.1 硫化亚铜纳米粒子多层薄膜的形貌 | 第42-43页 |
| 4.3.2 硫化亚铜纳米粒子多层薄膜成分分析 | 第43-44页 |
| 4.4 硫化亚铜纳米粒子多层薄膜的光电性质 | 第44-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |