| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 GaN功率器件研究背景与意义 | 第9-12页 |
| 1.2 GaN功率器件的研究历史与现状 | 第12-19页 |
| 1.3 本文的主要研究内容安排 | 第19-21页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HFET器件工作原理与耐压机理 | 第21-32页 |
| 2.1 氮化物的材料特性 | 第21-23页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结中的二维电子气 | 第23-26页 |
| 2.3 GaN HFET器件的工作原理 | 第26-28页 |
| 2.4 GaN HFET器件的击穿机理 | 第28-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 具有背部复合介质层的GaN HFET器件研究 | 第32-43页 |
| 3.1 GaN BCD-HFET器件结构与工作原理 | 第32-36页 |
| 3.2 GaN BCD-HFET结构优化与击穿特性 | 第36-40页 |
| 3.3 GaN BCD-HFET直流特性分析 | 第40-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 高耐压负离子注入钝化层的GaN HFET器件研究 | 第43-57页 |
| 4.1 GaN CPL-HFET器件结构与工作原理 | 第43-46页 |
| 4.2 GaN CPL-HFET电学特性分析 | 第46-51页 |
| 4.3 GaN CPL-HFET关键结构参数优化设计 | 第51-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |
