摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
1 绪论 | 第7-29页 |
1.1 光伏产业综述 | 第7-13页 |
1.1.1 太阳能光伏发电技术的发展与展望 | 第8-11页 |
1.1.2 主要发达国家光伏产业的发展现状 | 第11页 |
1.1.3 我国光伏产业的发展现状 | 第11-13页 |
1.2 硅材料综述 | 第13-18页 |
1.2.1 硅的性质与应用 | 第13-14页 |
1.2.2 太阳能级硅的制备工艺 | 第14-17页 |
1.2.3 光伏产业对太阳能级硅的巨大需求及再生硅的意义 | 第17页 |
1.2.4 硅的再生方法综述 | 第17-18页 |
1.3 利用电子束技术再生硅材料 | 第18-27页 |
1.3.1 电子束技术的应用 | 第18-20页 |
1.3.2 电子束熔炼技术与设备 | 第20-24页 |
1.3.3 电子束熔炼法在提纯硅方面的应用与研究进展 | 第24-27页 |
1.4 本课题研究的目的与内容 | 第27-29页 |
2 实验原理及设备 | 第29-39页 |
2.1 电子束再生制造多晶硅的理论基础 | 第29-30页 |
2.1.1 电子束蒸发去除杂质原理 | 第29页 |
2.1.2 电子束诱导硅定向凝固原理 | 第29页 |
2.1.3 电子束熔炼提纯效果对熔炼时间的敏感性 | 第29-30页 |
2.2 产业化电子束熔炼设备 | 第30-36页 |
2.2.1 设备总体构成 | 第30-31页 |
2.2.2 设备各个部分构成 | 第31-35页 |
2.2.3 典型电子束熔炼技术 | 第35-36页 |
2.3 材料分析与评价设备 | 第36-39页 |
2.3.1 带锯床 | 第36-37页 |
2.3.2 超声波清洗机 | 第37页 |
2.3.3 烘干箱 | 第37页 |
2.3.4 电阻率测试仪 | 第37-38页 |
2.3.5 少数载流子寿命检测仪 | 第38-39页 |
3 电子束熔炼过程中硅全熔时点的判断 | 第39-49页 |
3.1 实验方法 | 第39-43页 |
3.1.1 原料 | 第39页 |
3.1.2 实验过程 | 第39-41页 |
3.1.3 样品的分析与检测 | 第41-43页 |
3.2 实验结果与讨论 | 第43-47页 |
3.2.1 利用冷却水温差反应熔体状态的可行性 | 第43-45页 |
3.2.2 熔炼过程中冷却水温差变化趋势 | 第45-46页 |
3.2.3 全熔时点判据的提出 | 第46-47页 |
3.3 本章小结 | 第47-49页 |
4 全熔时点判据的有效性评价 | 第49-56页 |
4.1 多晶硅电学性能与杂质含量的关系 | 第49-51页 |
4.2 铸锭的宏观形貌及电学性能 | 第51-52页 |
4.3 有效熔炼时间的确定 | 第52-53页 |
4.4 有效熔炼时间与电学性能的对应关系 | 第53-55页 |
4.5 本章小结 | 第55-56页 |
结论 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-60页 |
致谢 | 第60-62页 |