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电子束再生制造多晶硅熔体全熔时点的判断

摘要第2-3页
Abstract第3-4页
1 绪论第7-29页
    1.1 光伏产业综述第7-13页
        1.1.1 太阳能光伏发电技术的发展与展望第8-11页
        1.1.2 主要发达国家光伏产业的发展现状第11页
        1.1.3 我国光伏产业的发展现状第11-13页
    1.2 硅材料综述第13-18页
        1.2.1 硅的性质与应用第13-14页
        1.2.2 太阳能级硅的制备工艺第14-17页
        1.2.3 光伏产业对太阳能级硅的巨大需求及再生硅的意义第17页
        1.2.4 硅的再生方法综述第17-18页
    1.3 利用电子束技术再生硅材料第18-27页
        1.3.1 电子束技术的应用第18-20页
        1.3.2 电子束熔炼技术与设备第20-24页
        1.3.3 电子束熔炼法在提纯硅方面的应用与研究进展第24-27页
    1.4 本课题研究的目的与内容第27-29页
2 实验原理及设备第29-39页
    2.1 电子束再生制造多晶硅的理论基础第29-30页
        2.1.1 电子束蒸发去除杂质原理第29页
        2.1.2 电子束诱导硅定向凝固原理第29页
        2.1.3 电子束熔炼提纯效果对熔炼时间的敏感性第29-30页
    2.2 产业化电子束熔炼设备第30-36页
        2.2.1 设备总体构成第30-31页
        2.2.2 设备各个部分构成第31-35页
        2.2.3 典型电子束熔炼技术第35-36页
    2.3 材料分析与评价设备第36-39页
        2.3.1 带锯床第36-37页
        2.3.2 超声波清洗机第37页
        2.3.3 烘干箱第37页
        2.3.4 电阻率测试仪第37-38页
        2.3.5 少数载流子寿命检测仪第38-39页
3 电子束熔炼过程中硅全熔时点的判断第39-49页
    3.1 实验方法第39-43页
        3.1.1 原料第39页
        3.1.2 实验过程第39-41页
        3.1.3 样品的分析与检测第41-43页
    3.2 实验结果与讨论第43-47页
        3.2.1 利用冷却水温差反应熔体状态的可行性第43-45页
        3.2.2 熔炼过程中冷却水温差变化趋势第45-46页
        3.2.3 全熔时点判据的提出第46-47页
    3.3 本章小结第47-49页
4 全熔时点判据的有效性评价第49-56页
    4.1 多晶硅电学性能与杂质含量的关系第49-51页
    4.2 铸锭的宏观形貌及电学性能第51-52页
    4.3 有效熔炼时间的确定第52-53页
    4.4 有效熔炼时间与电学性能的对应关系第53-55页
    4.5 本章小结第55-56页
结论第56-57页
参考文献第57-60页
致谢第60-62页

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