| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 铁基非晶软磁合金薄带概述 | 第9页 |
| 1.2 巨磁阻抗效应概述 | 第9-10页 |
| 1.3 GMI效应的影响因素 | 第10-14页 |
| 1.3.1 趋肤效应对GMI效应的影响 | 第11页 |
| 1.3.2 畴壁位移和磁畴转动对GMI效应的影响 | 第11-12页 |
| 1.3.3 样品表面粗糙度对GMI效应的影响 | 第12页 |
| 1.3.4 磁导率对GMI效应的影响 | 第12页 |
| 1.3.5 驱动电流频率对GMI效应的影响 | 第12-13页 |
| 1.3.6 外加直流磁场对GMI效应的影响 | 第13-14页 |
| 1.3.7 几何尺寸对GMI效应的影响 | 第14页 |
| 1.4 复合结构软磁合金薄带的发展及应用 | 第14-15页 |
| 1.5 磁控溅射物理方法概述 | 第15-16页 |
| 1.6 化学沉积技术概述 | 第16页 |
| 1.7 本文研究的内容及其意义 | 第16-18页 |
| 第二章 复合结构软磁合金薄膜制备方法及表征 | 第18-27页 |
| 2.1 非晶软磁合金薄带的制备 | 第18-19页 |
| 2.2 磁控溅射物理方法制备复合结构薄带工艺与设备 | 第19页 |
| 2.3 化学沉积制备复合结构薄带工艺 | 第19-22页 |
| 2.3.1 化学沉积技术原理 | 第20页 |
| 2.3.2 化学沉积的工艺及配方 | 第20-22页 |
| 2.4 真空退火 | 第22-23页 |
| 2.5 磁性能测试装置 | 第23-25页 |
| 2.5.1 HP4294A阻抗分析仪测量装置 | 第23-25页 |
| 2.5.2 振动样品磁强计 | 第25页 |
| 2.6 薄膜表征设备 | 第25-27页 |
| 2.6.1 原子力显微镜 | 第26页 |
| 2.6.2 X射线衍射分析仪 | 第26-27页 |
| 第三章 基于磁控溅射的复合结构软磁合金薄带的磁性能研究 | 第27-36页 |
| 3.1 Fe_(67)Co_(18)Si_(11)B_4/Ni复合结构薄带磁性能分析 | 第27-31页 |
| 3.1.1 溅射层厚度对Fe_(67)Co_(18)Si_(11)B_4/Ni复合结构薄带阻抗效应的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.2 复合结构薄带Fe_(67)Co_(18)Si_(11)B_4/Ni的AFM表征 | 第29-31页 |
| 3.2 Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/Ni复合结构薄带磁性能分析 | 第31-34页 |
| 3.2.1 溅射层厚度对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/Ni复合结构薄带阻抗效应的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 复合结构薄带Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/Ni的AFM表征 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第四章 基于化学沉积的复合结构软磁合金薄带磁性能研究 | 第36-49页 |
| 4.1 化学沉积对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/NiP复合结构薄带磁性能的影响 | 第36-44页 |
| 4.1.1 化学沉积对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/NiP薄带磁导率及品质因数的影响 | 第36-40页 |
| 4.1.2 化学沉积对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/NiP薄带GMI效应的影响 | 第40-41页 |
| 4.1.3 化学沉积对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/NiP复合结构薄带磁滞回线的影响 | 第41-43页 |
| 4.1.4 化学沉积样品AFM表征 | 第43-44页 |
| 4.2 退火对非晶软磁材料磁性能的影响 | 第44-48页 |
| 4.2.1 退火对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9非晶软磁薄带GMI效应的影响 | 第44-45页 |
| 4.2.2 退火对Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9/NiP复合结构薄带GMI效应的影响 | 第45页 |
| 4.2.3 退火对非晶软磁合金及复合结构合金初始磁导率的影响 | 第45-47页 |
| 4.2.4 退火样品AFM表征 | 第47-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-58页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
