| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 课题研究背景及研究意义 | 第11-12页 |
| 1.1.1 课题研究背景 | 第11页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 SiC功率MOSFET的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 开关电源的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 本文研究的主要工作及组织结构 | 第16-17页 |
| 1.4 本章小结 | 第17-19页 |
| 第2章 SiC功率MOSFET模型建立理论基础 | 第19-37页 |
| 2.1 SiC材料 | 第19-21页 |
| 2.1.1 SiC材料的晶体结构 | 第19页 |
| 2.1.2 SiC材料的电学性质 | 第19-21页 |
| 2.2 功率MOSFET | 第21-26页 |
| 2.2.1 功率MOSFET的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 功率MOSFET的结构类型 | 第22-23页 |
| 2.2.3 功率MOSFET的电学特性 | 第23-26页 |
| 2.3 SiC功率MOSFET温度特性分析 | 第26-35页 |
| 2.3.1 SiC功率MOSFET阈值电压的温度特性分析 | 第27-30页 |
| 2.3.2 SiC功率MOSFET沟道有效迁移率的温度特性分析 | 第30-31页 |
| 2.3.3 SiC功率MOSFET导通电阻的温度特性分析 | 第31-32页 |
| 2.3.4 SiC功率MOSFET体漏电流的温度特性分析 | 第32-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第3章 SiC功率MOSFET器件模型的建立及仿真 | 第37-55页 |
| 3.1 SiC功率MOSFET器件模型的提出 | 第37-39页 |
| 3.2 SiC功率MOSFET器件模型的分析 | 第39-50页 |
| 3.2.1 内核MOSFET | 第39-44页 |
| 3.2.2 温度相关器件 | 第44-46页 |
| 3.2.3 开关模式电容 | 第46-50页 |
| 3.3 SiC功率MOSFET器件模型的仿真及分析 | 第50-54页 |
| 3.3.1 静态特性仿真 | 第50-53页 |
| 3.3.2 动态特性仿真 | 第53-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 1KW移相全桥ZVS等效高温开关电源的设计 | 第55-85页 |
| 4.1 全桥ZVS工作原理及关键问题分析 | 第55-61页 |
| 4.1.1 移相全桥ZVS DC/DC变换器工作原理分析 | 第55-59页 |
| 4.1.2 移相全桥ZVS DC/DC变换器中关键问题的分析 | 第59-61页 |
| 4.2 移相全桥DC/DC变换器控制回路设计理论基础 | 第61-66页 |
| 4.2.1 控制回路的控制策略 | 第61-62页 |
| 4.2.2 移相全桥ZVS DC/DC开环小信号模型的建立 | 第62-66页 |
| 4.3 系统整体介绍及技术指标 | 第66-67页 |
| 4.4 功率电路的常温等效器件选型及相关参数计算 | 第67-72页 |
| 4.4.1 常温等效功率器件的选择 | 第67-69页 |
| 4.4.2 常温等效高频变压器的设计 | 第69-70页 |
| 4.4.3 常温等效滤波电感电容的计算 | 第70-71页 |
| 4.4.4 常温等效谐振电感和死区时间的计算 | 第71页 |
| 4.4.5 常温等效隔直电容的计算 | 第71-72页 |
| 4.5 变换器控制系统的设计 | 第72-83页 |
| 4.5.1 控制系统整体介绍 | 第73-75页 |
| 4.5.2 振荡器参数和死区时间的设定 | 第75-76页 |
| 4.5.3 采样电路设计 | 第76-77页 |
| 4.5.4 保护电路设计 | 第77-79页 |
| 4.5.5 电流环斜坡补偿电路设计 | 第79-80页 |
| 4.5.6 电压环补偿网络的设计 | 第80-83页 |
| 4.6 本章小结 | 第83-85页 |
| 第5章 仿真结果分析 | 第85-95页 |
| 5.1 等效高温开关电源的仿真 | 第85-89页 |
| 5.1.1 驱动波形分析 | 第85-87页 |
| 5.1.2 开关管实现ZVS波形分析 | 第87-88页 |
| 5.1.3 占空比丢失波形分析 | 第88-89页 |
| 5.1.4 输出波形分析 | 第89页 |
| 5.2 SiC功率MOSFET模型温度性能仿真 | 第89-94页 |
| 5.2.1 温度无关器件的建立 | 第90-91页 |
| 5.2.2 SiC功率MOSFET模型温度性能仿真 | 第91-94页 |
| 5.3 本章小结 | 第94-95页 |
| 第6章 总结与展望 | 第95-97页 |
| 6.1 工作总结 | 第95页 |
| 6.2 工作展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
