| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第15-16页 |
| 1.2 霍尔效应 | 第16-19页 |
| 1.2.1 量子霍尔效应 | 第17-18页 |
| 1.2.2 量子反常霍尔效应 | 第18-19页 |
| 1.3 拓扑绝缘体 | 第19-24页 |
| 1.3.1 拓扑数 | 第19-20页 |
| 1.3.2 二维拓扑绝缘体 | 第20-21页 |
| 1.3.3 三维拓扑绝缘体 | 第21-23页 |
| 1.3.4 Bi2Se3的研究发展及现状 | 第23-24页 |
| 1.3.5 电极接触特性 | 第24页 |
| 1.4 本论文的研究内容及目的 | 第24-25页 |
| 1.5 论文的具体安排步骤 | 第25-26页 |
| 第二章 实验设备和原理 | 第26-33页 |
| 2.1 分子束外延(MBE) | 第26-30页 |
| 2.1.1 真空泵系统 | 第26-27页 |
| 2.1.2 循环冷却水系统 | 第27页 |
| 2.1.3 液氮 | 第27-28页 |
| 2.1.4 真空样品传输室(Load-Lock) | 第28页 |
| 2.1.5 超高真空制备腔体 | 第28页 |
| 2.1.6 监测系统 | 第28-29页 |
| 2.1.7 制备控制系统 | 第29页 |
| 2.1.8 不间断电源系统 | 第29-30页 |
| 2.2 X射线衍射仪 | 第30页 |
| 2.3 扫描电子显微镜 | 第30页 |
| 2.4 电子束/热蒸发蒸镀系统 | 第30-31页 |
| 2.5 综合物性测量系统 | 第31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3及其异质结薄膜的制备 | 第33-45页 |
| 3.1 拓扑绝缘体Bi_2Se_3的制备 | 第33-38页 |
| 3.1.1 实验前期准备过程 | 第33-34页 |
| 3.1.2 Bi_2Se_3薄膜的制备 | 第34-35页 |
| 3.1.3 参数的优化 | 第35-38页 |
| 3.2 掺Mn拓扑绝缘体Bi_2Se_3的制备 | 第38-42页 |
| 3.3 掺Mn拓扑绝缘体Bi_2Se_3异质结薄膜的制备 | 第42-43页 |
| 3.3.1 异质结的基本原理 | 第42页 |
| 3.3.2 异质结的特性 | 第42-43页 |
| 3.3.3 异质结的应用 | 第43页 |
| 3.3.4 拓扑绝缘体Bi_2Se_3异质结薄膜的制备 | 第43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 电极的蒸镀及接触性质的测试 | 第45-52页 |
| 4.1 利用电子束/热蒸发蒸镀系统蒸镀电极 | 第45-48页 |
| 4.1.1 热蒸发法蒸镀电极 | 第45-46页 |
| 4.1.2 电子束法蒸镀电极 | 第46-48页 |
| 4.2 制备电极引线 | 第48-49页 |
| 4.3 电极与拓扑绝缘体Bi_2Se_3接触特性的测试 | 第49-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 Bi_2Se_3及其异质结薄膜的电学性质测试 | 第52-58页 |
| 5.1 拓扑绝缘体Bi_2Se_3及其异质结薄膜的温度电阻比较 | 第52-53页 |
| 5.2 拓扑绝缘体Bi_2Se_3及其异质结薄膜的磁致电阻比较 | 第53-54页 |
| 5.3 拓扑绝缘体Bi_2Se_3及其异质结薄膜的霍尔电阻比较 | 第54-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第六章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 6.1 工作总结 | 第58页 |
| 6.2 未来展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第64页 |
