含能材料3D打印实验系统总体设计及工艺参数影响分析
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
1 绪论 | 第8-17页 |
1.1 研究背景 | 第8-9页 |
1.2 熔融沉积成型技术概述 | 第9-14页 |
1.2.1 熔融沉积成型技术原理 | 第9-10页 |
1.2.2 熔融沉积成型技术工艺流程 | 第10-12页 |
1.2.3 熔融沉积成型技术的发展现状 | 第12-14页 |
1.3 国内外含能材料3D打印技术研究现状 | 第14-15页 |
1.4 主要研究内容 | 第15-17页 |
2 含能材料3D打印实验系统总体设计 | 第17-34页 |
2.1 含能材料3D打印实验系统概述 | 第17-18页 |
2.2 机械系统设计 | 第18-26页 |
2.2.1 挤出机模块 | 第18-19页 |
2.2.2 运动模块 | 第19-24页 |
2.2.3 调平模块 | 第24-25页 |
2.2.4 机体框架 | 第25-26页 |
2.3 控制系统设计 | 第26-28页 |
2.4 软件系统设计 | 第28-30页 |
2.5 含能材料3D打印实验系统的搭建与调试 | 第30-33页 |
2.5.1 实验系统搭建 | 第30页 |
2.5.2 固件参数调试 | 第30-32页 |
2.5.3 软件系统调试 | 第32-33页 |
2.6 本章小结 | 第33-34页 |
3 含能材料3D打印过程温度场有限元模拟研究 | 第34-50页 |
3.1 温度场有限元分析理论 | 第34-38页 |
3.1.1 温度场的基本概念 | 第34页 |
3.1.2 热传递的基本方式 | 第34-35页 |
3.1.3 热平衡控制方程 | 第35-36页 |
3.1.4 温度场边值条件 | 第36-37页 |
3.1.5 温度场问题的基本解法 | 第37-38页 |
3.2 ANSYS有限元分析工具 | 第38-39页 |
3.2.1 生死单元技术 | 第38页 |
3.2.2 APDL语言 | 第38-39页 |
3.3 喷头温度场有限元模拟及结果分析 | 第39-42页 |
3.3.1 喷头温度场有限元模拟的意义 | 第39页 |
3.3.2 喷头温度场有限元模型的建立 | 第39-41页 |
3.3.3 喷头温度场有限元模拟结果分析 | 第41-42页 |
3.4 成型过程温度场有限元模拟及结果分析 | 第42-49页 |
3.4.1 成型过程温度场有限元模拟的意义 | 第42页 |
3.4.2 成型过程温度场有限元模拟的基本假设 | 第42页 |
3.4.3 成型过程温度场有限元模型的建立 | 第42-45页 |
3.4.4 成型过程温度场有限元模拟结果分析 | 第45-49页 |
3.5 本章小结 | 第49-50页 |
4 含能材料3D打印工艺参数影响实验研究 | 第50-64页 |
4.1 含能材料3D打印制件成型精度分析 | 第50-53页 |
4.1.1 制件成型缺陷的宏观表现 | 第50-51页 |
4.1.2 成型精度的主要影响因素 | 第51-53页 |
4.2 正交实验设计法 | 第53页 |
4.3 工艺参数影响实验 | 第53-58页 |
4.3.1 实验模型设计及优化目标确定 | 第53-55页 |
4.3.2 成型工艺参数的选择 | 第55-56页 |
4.3.3 正交实验方案的制定 | 第56-57页 |
4.3.4 成型实验及实验结果 | 第57-58页 |
4.4 单目标分析 | 第58-62页 |
4.4.1 长度偏差率影响分析 | 第58-59页 |
4.4.2 宽度偏差率影响分析 | 第59-60页 |
4.4.3 高度偏差率影响分析 | 第60-61页 |
4.4.4 密实度影响分析 | 第61-62页 |
4.5 本章小结 | 第62-64页 |
5 基于熵权TOPSIS的工艺参数多目标综合优化 | 第64-72页 |
5.1 熵权TOPSIS模型的建立 | 第64-67页 |
5.1.1 评价矩阵的构建 | 第64-65页 |
5.1.2 标准化评价矩阵 | 第65页 |
5.1.3 目标权重的确定 | 第65-66页 |
5.1.4 加权评价矩阵的建立与理想解的确定 | 第66页 |
5.1.5 评价方案与理想解的相对距离 | 第66-67页 |
5.1.6 相对贴近度的确定 | 第67页 |
5.2 多目标综合优化分析 | 第67-70页 |
5.3 工艺实验验证 | 第70页 |
5.4 含能材料3D打印真料实验 | 第70-71页 |
5.5 本章小结 | 第71-72页 |
6 结论与展望 | 第72-74页 |
6.1 结论 | 第72-73页 |
6.2 展望 | 第73-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
附录 | 第79页 |