| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-31页 |
| ·研究背景和意义 | 第19-21页 |
| ·集成封装技术 | 第21-24页 |
| ·基于TSV的3D IC相对优势和所面临挑战 | 第24-26页 |
| ·基于TSV的3D IC研究现状 | 第26-29页 |
| ·本论文工作内容及框架 | 第29-31页 |
| 第二章 基于TSV的3D集成技术与TSV的电学特性 | 第31-53页 |
| ·3D集成技术 | 第31-37页 |
| ·基于TSV的3D集成技术 | 第32-34页 |
| ·TSV的制备 | 第34-37页 |
| ·TSV的电学特性 | 第37-51页 |
| ·TSV的结构分类 | 第37-39页 |
| ·圆柱型TSV的寄生参数 | 第39-42页 |
| ·单端信号TSV | 第42-46页 |
| ·TSV阵列 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第三章 基于TSV的3D IC串扰特性研究 | 第53-65页 |
| ·TSV与TSV间的串扰研究 | 第53-57页 |
| ·阻抗级耦合通道模型 | 第54-56页 |
| ·耦合系数方程 | 第56-57页 |
| ·TSV与RDL线间的串扰研究 | 第57-62页 |
| ·TSV与多个RDL线相邻 | 第58-59页 |
| ·RDL线上不同区域的耦合电容 | 第59-60页 |
| ·TSV与RDL线的相互位置 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-65页 |
| 第四章 基于TSV的3D IC串扰噪声优化研究 | 第65-79页 |
| ·相邻TSV间的放电通道 | 第65-71页 |
| ·放电通道模型 | 第65-67页 |
| ·放电通道中的寄生参数 | 第67-69页 |
| ·放电通道阻抗对串扰噪声的影响 | 第69-71页 |
| ·串扰噪声优化技术研究 | 第71-77页 |
| ·相邻TSV间耦合电流分析 | 第71-73页 |
| ·串扰噪声优化技术在简单电路中的应用 | 第73-74页 |
| ·串扰噪声优化技术在复杂电路中的应用 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 基于TSV的3D IC功率传输研究和低功耗设计 | 第79-101页 |
| ·3D IC功率分布网络(PDN)研究 | 第79-89页 |
| ·PDN建模 | 第79-82页 |
| ·TSV数量和堆叠芯片层数对电压降(IR Drop)的影响 | 第82-85页 |
| ·TSV内部电流密度分布分析 | 第85-87页 |
| ·TSV内部电流密度对电压降的影响 | 第87-89页 |
| ·用于3D IC的多输出功率转换器 | 第89-99页 |
| ·3D IC功率转换器设计 | 第89-92页 |
| ·不平衡飞跨电容 | 第92-97页 |
| ·功率转换器在3D IC低功耗设计中的应用 | 第97-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| 第六章 总结与展望 | 第101-105页 |
| ·全文总结 | 第101-102页 |
| ·工作展望 | 第102-105页 |
| 参考文献 | 第105-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 作者简介 | 第121-122页 |
