无铅焊点电迁移诱致的界面化合物生长及失效研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-32页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-11页 |
| ·微电子封装发展历程及技术 | 第11-14页 |
| ·微电子封装技术的发展历程 | 第11-12页 |
| ·微电子封装技术 | 第12-14页 |
| ·互连焊点的可靠性研究现状 | 第14-17页 |
| ·互连焊点的失效模式及机理 | 第15-16页 |
| ·互连焊点可靠性问题研究概况 | 第16-17页 |
| ·互连焊点电迁移失效研究现状 | 第17-30页 |
| ·电迁移的驱动机制 | 第17-19页 |
| ·焊点电迁移作用下的组织演化研究 | 第19-22页 |
| ·电迁移测试技术 | 第22-27页 |
| ·电迁移的数值模拟研究 | 第27-30页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第2章 材料及试验方法 | 第32-39页 |
| ·试验平台建立及试验过程简介 | 第32页 |
| ·试验材料、制备和试样设备 | 第32-37页 |
| ·试验材料 | 第32-33页 |
| ·测试试样制备 | 第33-35页 |
| ·试验设备 | 第35-37页 |
| ·试验方法及试验方案 | 第37-38页 |
| ·不同电流密度下芯片温度变化测试 | 第37页 |
| ·电迁移作用下化合物生长历程测试 | 第37页 |
| ·电迁移作用下空洞及裂纹形成及扩展测试 | 第37-38页 |
| ·电迁移试验方案 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 电迁移试验结果及分析 | 第39-58页 |
| ·环境温度和电流密度对芯片温度的影响分析 | 第39-42页 |
| ·芯片温度测试试验 | 第39-40页 |
| ·芯片温度变化的有限元分析 | 第40-42页 |
| ·电迁移诱致焊点界面化合物生长及分析 | 第42-51页 |
| ·电流载荷下焊点的组织演化历程 | 第43-48页 |
| ·焊点金属间化合物生长分析 | 第48-51页 |
| ·焊点电迁移作用下空洞的形成及扩展 | 第51-54页 |
| ·焊点电迁移作用下元素的重分布 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 互连焊点电迁移失效有限元模拟 | 第58-75页 |
| ·电迁移的理论模型 | 第58-60页 |
| ·电迁移数值计算方法 | 第60-63页 |
| ·多物理场耦合分析模型 | 第63-66页 |
| ·测试结构有限元模型 | 第63-64页 |
| ·测试结构材料参数 | 第64-65页 |
| ·多物理场边界条件 | 第65-66页 |
| ·多物理场耦合计算结果及分析 | 第66-69页 |
| ·热-电耦合计算结果及分析 | 第66-68页 |
| ·结构计算结果及分析 | 第68-69页 |
| ·互连焊点电迁移失效位置预测仿真 | 第69-71页 |
| ·互连焊点外形参数灵敏度分析 | 第71-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 结论与展望 | 第75-77页 |
| ·结论 | 第75-76页 |
| ·展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 攻读学位期间参加的科研项目和成果 | 第83页 |
