| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第11-13页 |
| ·课题的相关研究现状 | 第13-14页 |
| ·论文的主要工作与创新 | 第14-16页 |
| 第二章 交叉结构阻变存储单元概述 | 第16-24页 |
| ·阻变双稳态器件的电学特性概述 | 第16-20页 |
| ·阻变存储器件的类型和特性 | 第16-18页 |
| ·阻变双稳态特性的定义与读写机制 | 第18-19页 |
| ·阻变存储单元的性能指标 | 第19-20页 |
| ·纳米交叉结构的制备及其电学特性测试表征 | 第20-21页 |
| ·纳米集成阵列的制备方式概述 | 第20-21页 |
| ·阻变双稳态单元的电学特性测试表征 | 第21页 |
| ·影响电阻转变特性的主要因素 | 第21-23页 |
| ·电极材料对阻变器件的影响 | 第21-22页 |
| ·掺杂对阻变器件的影响 | 第22页 |
| ·器件结构对阻变器件的影响 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 交叉结构阻变存储单元的制备与表征 | 第24-40页 |
| ·Lift-off 工艺 | 第24-28页 |
| ·光刻胶技术 | 第25-27页 |
| ·沉积和剥离 | 第27-28页 |
| ·存储阵列的设计 | 第28-32页 |
| ·100nm 线宽存储阵列 | 第29-30页 |
| ·1μm 线宽存储阵列 | 第30-32页 |
| ·存储阵列的制备 | 第32-38页 |
| ·存储阵列参数 | 第32页 |
| ·器件制备 | 第32-38页 |
| ·器件的表征 | 第38-39页 |
| ·表面形貌 | 第38页 |
| ·TiO_2晶型 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 存储单元的电学测试和分析 | 第40-49页 |
| ·电学特性表征手段 | 第40-41页 |
| ·电学特性分析 | 第41-48页 |
| ·1μm 线宽 Au/TiO_2/Au 的电学特性分析 | 第42-46页 |
| ·1μm 线宽 Pt/TiO_2/Pt 的电学特性分析 | 第46-48页 |
| ·100nm 线宽 Pt/Ti_O2/Pt 的电学特性分析 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 影响阻变特性的主要因素 | 第49-55页 |
| ·限制电流对阻变特性的影响 | 第49-51页 |
| ·电极材料对阻变特性的影响 | 第51-53页 |
| ·交叉面积对阻变特性的影响 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结束语 | 第55-56页 |
| ·全文工作总结 | 第55页 |
| ·未来工作展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第63页 |
