| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·GaN 基材料的优势 | 第11-12页 |
| ·GaN 异质结及其 HEMTs 器件的研究进展 | 第12-15页 |
| ·AlGaN 材料及其沟道 HEMTs 器件的研究进展 | 第15-18页 |
| ·AlGaN 材料生长及其研究现状 | 第15-17页 |
| ·AlGaN 沟道异质结及其 HEMT 器件的发展及研究现状 | 第17-18页 |
| ·本文主要工作及安排 | 第18-19页 |
| 第二章 GaN 基异质结相关理论 | 第19-29页 |
| ·GaN 基异质结形成理论基础 | 第19-23页 |
| ·GaN 基异质结形成的物理基础 | 第19-20页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的极化理论 | 第20-23页 |
| ·AlGaN 沟道单异质结的设计和仿真 | 第23-25页 |
| ·势垒层参数对 AlGaN 沟道单异质结材料的影响 | 第23-25页 |
| ·沟道层铝组份对 AlGaN 沟道单异质结材料的影响 | 第25页 |
| ·双异质结的设计和仿真 | 第25-27页 |
| ·背势垒铝组份对异质结构的影响 | 第26-27页 |
| ·沟道层铝组份对异质结构的影响 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 AlGaN 沟道单异质结材料生长和特性研究 | 第29-45页 |
| ·生长温度对 AlGaN 沟道单异质结的影响 | 第29-35页 |
| ·AlGaN 沟道单异质结材料的生长 | 第29-30页 |
| ·样品的 AFM 和 XRD 测试分析及对比 | 第30-32页 |
| ·样品电学特性表征及对比 | 第32-33页 |
| ·样品 C 的变温电学特性测试 | 第33-35页 |
| ·AlGaN 沟道单异质结构的优化 | 第35-39页 |
| ·AlGaN 沟道单异质结的双缓冲层及插入层结构 | 第35-36页 |
| ·样品 D 和 E 的 AFM 和 XRD 测试结果分析 | 第36-37页 |
| ·样品 D 的电学特性结果分析 | 第37-39页 |
| ·高 Al 组分 AlGaN 沟道异质结构的生长研究 | 第39-42页 |
| ·样品的表面形貌和结晶质量分析 | 第39-40页 |
| ·样品的电学特性测试 | 第40-41页 |
| ·与国际上相关报道的对比 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 双异质结材料生长和特性研究 | 第45-55页 |
| ·背势垒 Al 组分对 GaN 基双异质结特性的影响 | 第45-49页 |
| ·Al0.4Ga0.6N/GaN/AlxGa1-xN 异质结材料的设计与生长 | 第45页 |
| ·两种样品的高温特性模拟仿真 | 第45-47页 |
| ·样品的结晶质量及表面形貌对比分析 | 第47页 |
| ·样品的电学特性对比 | 第47-49页 |
| ·沟道 Al 组分变化双异质结构的特性研究 | 第49-53页 |
| ·不同 Al 组分沟道层的双异质结的高温特性仿真 | 第49-50页 |
| ·样品测试及对比分析 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 AlGaN 沟道 HEMT 器件的特性研究 | 第55-69页 |
| ·AlGaN 沟道 HEMTs 器件制造 | 第55-57页 |
| ·HEMTs 器件制造关键工艺 | 第55-56页 |
| ·本文 AlGaN 沟道异质结构 HEMT 器件的制造 | 第56-57页 |
| ·AlGaN 沟道异质结材料的方块电阻及欧姆接触 | 第57-59页 |
| ·TLM 传输线模型 | 第57-58页 |
| ·AlGaN 沟道异质结材料的方块电阻及欧姆接触 | 第58-59页 |
| ·AlGaN 沟道 HEMT 器件的直流 IV 特性 | 第59-62页 |
| ·输出特性和转移特性 | 第59-60页 |
| ·栅漏肖特基二极管的 I-V 特性曲线 | 第60-61页 |
| ·不同漏压下器件的转移特性 | 第61-62页 |
| ·AlGaN 沟道 HEMT 器件的击穿特性 | 第62-65页 |
| ·漏源击穿和栅漏击穿 | 第62-63页 |
| ·器件的击穿特性 | 第63-65页 |
| ·AlGaN 沟道 HEMT 器件的电流崩塌效应 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-69页 |
| 第六章 结束语 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 攻读硕士期间的研究成果及获奖情况 | 第83-85页 |
