| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·非制冷红外探测器研究现状 | 第11-15页 |
| ·红外探测器的分类 | 第11-13页 |
| ·红外焦平面发展情况 | 第13-15页 |
| ·低噪声敏感膜的研究现状及意义 | 第15-17页 |
| ·非晶硅锗合金薄膜研究现状及意义 | 第17-20页 |
| ·论文的主要工作 | 第20-22页 |
| ·选题意义 | 第20-21页 |
| ·研究内容 | 第21页 |
| ·技术路线 | 第21-22页 |
| 第二章 薄膜制备及电学性能研究方法 | 第22-32页 |
| ·硅锗合金薄膜制备 | 第22-26页 |
| ·PECVD 沉积装置 | 第22-23页 |
| ·PECVD 法沉积氢化硅锗合金薄膜 | 第23-26页 |
| ·电极制备 | 第26页 |
| ·薄膜微结构表征方法 | 第26-30页 |
| ·原子力显微镜法（AFM） | 第26-27页 |
| ·激光拉曼光谱法（Raman） | 第27-28页 |
| ·X 射线衍射谱法（XRD） | 第28-29页 |
| ·傅里叶变换红外光谱法（FTIR） | 第29-30页 |
| ·薄膜电学性能研究方法 | 第30-32页 |
| ·电导率测试 | 第30页 |
| ·电阻温度系数测试（TCR） | 第30-31页 |
| ·噪声水平评价 | 第31-32页 |
| 第三章 薄膜噪声测试方案设计与系统实现 | 第32-48页 |
| ·噪声的理论基础 | 第32-36页 |
| ·经典噪声理论 | 第33-35页 |
| ·红外探测器低频噪声产生机理 | 第35-36页 |
| ·热敏薄膜噪声测试方案设计 | 第36-38页 |
| ·薄膜噪声测量的原理 | 第36-37页 |
| ·薄膜噪声测试难点 | 第37-38页 |
| ·薄膜噪声测试实验系统实现 | 第38-46页 |
| ·总体构思 | 第38页 |
| ·信号放大系统设计 | 第38-42页 |
| ·测试单元阵列设计 | 第42-45页 |
| ·关键问题处理 | 第45-46页 |
| ·薄膜噪声测试系统验证 | 第46-48页 |
| 第四章 氩稀释对氢化硅锗合金薄膜的影响 | 第48-59页 |
| ·样品准备 | 第48页 |
| ·氩稀释对非晶硅锗合金薄膜晶化的影响 | 第48-54页 |
| ·表面形貌 | 第48-50页 |
| ·X 射线衍射结果 | 第50-51页 |
| ·激光拉曼光谱结果 | 第51-52页 |
| ·傅里叶变换红外光谱结果 | 第52-53页 |
| ·机理分析与讨论 | 第53-54页 |
| ·晶化对氢化硅锗合金薄膜电学性能的影响 | 第54-57页 |
| ·电导率 | 第54-55页 |
| ·电阻温度系数 TCR | 第55-56页 |
| ·噪声性能 | 第56-57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第五章 硼掺杂对氢化硅锗合金薄膜的影响 | 第59-66页 |
| ·样品准备 | 第59页 |
| ·硼掺杂对 Si_(0.78)Ge_(0.22):H 薄膜结构的研究 | 第59-60页 |
| ·硼掺杂对 Si_(0.78)Ge_(0.22):H 薄膜电学性能的影响 | 第60-64页 |
| ·电导率 | 第60-61页 |
| ·电阻温度系数 TCR | 第61-63页 |
| ·噪声特性 | 第63-64页 |
| ·小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| ·工作总结 | 第66页 |
| ·展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第73-74页 |