| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 致谢 | 第9-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-25页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·纳米材料的分类 | 第14-15页 |
| ·依据纳米材料的属性分类 | 第14-15页 |
| ·依据纳米材料的功能分类 | 第15页 |
| ·依据纳米材料的形态分类 | 第15页 |
| ·依据纳米材料的来源分类 | 第15页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第15-18页 |
| ·小尺寸效应 | 第16页 |
| ·表面效应 | 第16页 |
| ·量子效应 | 第16-17页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第17页 |
| ·介电限域效应 | 第17页 |
| ·库仑堵塞和量子隧穿 | 第17-18页 |
| ·基于一维纳米材料的纳米器件 | 第18-19页 |
| ·纳米线传感器 | 第18页 |
| ·纳米线激光器 | 第18-19页 |
| ·逻辑门计算电路 | 第19页 |
| ·准一维纳米材料的合成方法和生长机制 | 第19-23页 |
| ·气相法 | 第19-21页 |
| ·气-液-固(VLS)机制 | 第20-21页 |
| ·气-固(VS)机制 | 第21页 |
| ·液相法 | 第21-23页 |
| ·模板法合成 | 第21-22页 |
| ·免模板法 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第二章 实验装置、原理和操作规程 | 第25-30页 |
| ·实验装置简介 | 第25-27页 |
| ·实验设备简介 | 第25页 |
| ·实验装置示意图 | 第25-26页 |
| ·实验原理 | 第26页 |
| ·实验操作规程 | 第26-27页 |
| ·注意事项 | 第27页 |
| ·纳米材料的结构表征及物性分析方法 | 第27-29页 |
| ·X-射线衍射(XRD) | 第27页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第28页 |
| ·光学特性分析-光致发光谱(Photoluminescence) | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 具有周期孪晶结构的Al_2O_3/SiO_2同轴纳米线异质结 | 第30-37页 |
| ·引言 | 第30-31页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·Al_2O_3/SiO_2同轴纳米线异质结的形貌 | 第31页 |
| ·具有周期孪晶结构的Al_2O_3/SiO_2同轴纳米线异质结的结构与成分 | 第31-34页 |
| ·具有周期孪晶结构的Al_2O_3/SiO_2同轴纳米线异质结的生长机制 | 第34页 |
| ·Al_2O_3/SiO_2同轴纳米线异质结的光致发光性能 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 Zn_2GeO_2包裹的ZnO纳米棒阵列和Ge掺杂ZnO纳米梳的合成和光致发光性能研究 | 第37-44页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·实验结果和讨论 | 第38-43页 |
| ·产物的形貌 | 第38-39页 |
| ·产物的结构与成份 | 第39-42页 |
| ·产物的生长机制 | 第42页 |
| ·产物的光致发光性能 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 In掺杂Ga_2O_3纳米线的合成及生长机制、光学性能研究 | 第44-53页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-52页 |
| ·In掺杂Ga_2O_3准一维纳米结构的形貌 | 第45-46页 |
| ·In掺杂Ga_2O_3纳米线的结构与成份 | 第46-47页 |
| ·In掺杂Ga_2O_3纳米线的生长机制 | 第47-48页 |
| ·Ga_2O_3纳米线的结构与成分 | 第48-49页 |
| ·不同实验条件下得到的产物形貌图对比 | 第49-51页 |
| ·产物的光致发光性能 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 全文总结 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第62页 |
