低能重离子辐照GaN损伤的实验研究
| 中文摘要 | 第1-3页 |
| 英文摘要 | 第3-7页 |
| 第一章 GaN 系材料的研究背景及现状 | 第7-28页 |
| ·简要概述 | 第7-8页 |
| ·GaN 材料的外延生长 | 第8-9页 |
| ·GaN 系材料研究的意义和主要应用 | 第9页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第9-19页 |
| ·晶体结构 | 第9-10页 |
| ·化学性质 | 第10-11页 |
| ·GaN 中缺陷的分类 | 第11-13页 |
| ·缺陷的运动 | 第13-14页 |
| ·位错的应力场及应变能 | 第14-18页 |
| ·位错和点缺陷之间的相互作用 | 第18-19页 |
| ·离子束辐照技术简介及其特点 | 第19-22页 |
| ·离子束辐照材料的一些基本概念 | 第19-22页 |
| ·离子束辐照材料的特点和局限性 | 第22页 |
| ·离子束辐照GaN 的研究历史与现状 | 第22-27页 |
| ·离子束辐照GaN 产生的损伤 | 第23-25页 |
| ·晶格恢复 | 第25-26页 |
| ·辐照离子的行为 | 第26-27页 |
| ·本论文的研究工作和安排 | 第27-28页 |
| 第二章 低能重离子辐照GaN 的实验参数 | 第28-29页 |
| 第三章 辐照样品的晶格损伤测量 | 第29-40页 |
| ·X 射线衍射分析的原理 | 第29-32页 |
| ·布拉格方程 | 第29-31页 |
| ·衍射强度 | 第31-32页 |
| ·辐照样品的X 射线衍射分析 | 第32-34页 |
| ·沟道背散射分析原理及应用 | 第34-36页 |
| ·辐照样品的沟道-背散射研究 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 辐照样品的原子力显微镜研究 | 第40-45页 |
| ·原子力显微镜分析材料表面形貌的原理 | 第40-42页 |
| ·实验结果与讨论 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45页 |
| 第五章 辐照样品腐蚀坑的电子显微镜研究 | 第45-53页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验结果与讨论 | 第46-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-61页 |
| 攻读硕士学位期间论文完成情况 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
