| 目录 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·器件建模的意义 | 第8-10页 |
| ·国内外模型参数提取现状 | 第10页 |
| ·本论文的主要内容 | 第10-12页 |
| 第二章 MOS器件分析 | 第12-30页 |
| ·MOS器件中的反型层电荷 | 第12-15页 |
| ·已有的电荷模型对反型层电荷的计算 | 第12-13页 |
| ·考虑量子效应的MOS器件模型 | 第13-15页 |
| ·基于表面势的泊松方程 | 第15-17页 |
| ·泊松方程的建立 | 第15-16页 |
| ·泊松方程的数值解 | 第16-17页 |
| ·MOS电容分析 | 第17-19页 |
| ·薛定谔方程和泊松方程的自洽解 | 第19-25页 |
| ·薛定谔方程的数值解法 | 第21-24页 |
| ·数值计算结果 | 第24-25页 |
| ·耗尽层电容 | 第25页 |
| ·考虑量子效应的MOS阈值电压模型 | 第25-30页 |
| ·量子效应对表面势的影响 | 第25-27页 |
| ·表面势对短沟道MOS器件阈值电压的影响 | 第27-30页 |
| 第三章 EDA仿真软件SPICE与BSIM3模型的简介 | 第30-36页 |
| ·EDA仿真软件简介 | 第30-31页 |
| ·SPICE软件的结构 | 第31-34页 |
| ·建模工作流程 | 第34-36页 |
| 第四章 MOS器件的参数提取 | 第36-64页 |
| ·参数提取的基本原理 | 第36-38页 |
| ·线性回归法 | 第38-40页 |
| ·BSIM3模型中的几个主要直流参数 | 第40-43页 |
| ·阈值电压模型 | 第40-42页 |
| ·迁移率 | 第42页 |
| ·有效沟道长度和宽度 | 第42-43页 |
| ·器件参数的提取 | 第43-45页 |
| ·测试器件选取 | 第43-44页 |
| ·已有参数提取策略 | 第44-45页 |
| ·改进的参数提取策略 | 第45页 |
| ·器件参数提取方法 | 第45-51页 |
| ·阈值电压的确定 | 第45-47页 |
| ·反型层载流子迁移率的测量 | 第47-48页 |
| ·有效沟道长度和宽度的确定 | 第48-51页 |
| ·实验数据测量 | 第51-56页 |
| ·数据测量 | 第51页 |
| ·测量结果 | 第51-56页 |
| ·各项直流参数提取步骤 | 第56-64页 |
| ·工艺参数 | 第56页 |
| ·参数提取步骤 | 第56-58页 |
| ·测量数据与参数提取结果I-V特性仿真 | 第58-64页 |
| 第五章 模型参数的SPICE仿真与验证 | 第64-66页 |
| ·利用提取的模型参数对HSPICE模型进行修改 | 第64页 |
| ·新模型对设计的电路进行仿真 | 第64-66页 |
| ·反相器 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-69页 |
| ·总结 | 第66-67页 |
| ·展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 附录 | 第73-74页 |