| 引言 | 第1-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| §1.1 ZnO的基本特性 | 第10-15页 |
| ·ZnO的晶格结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的光电性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO薄膜的磁学性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO薄膜的气敏性质 | 第14页 |
| ·ZnO薄膜的压敏性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO薄膜的压电性质 | 第15页 |
| §1.2 ZnO薄膜的制备 | 第15-18页 |
| ·脉冲激光淀积(PLD) | 第16页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第16-17页 |
| ·溅射法 | 第17页 |
| ·电子束蒸发法 | 第17页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第17-18页 |
| ·锌膜氧化法 | 第18页 |
| §1.3 稀释磁性半导体 | 第18-19页 |
| §1.4 本文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 溶胶-凝胶法的原理和发展 | 第22-28页 |
| §2.1 溶胶-凝胶技术的分类和机理 | 第22页 |
| §2.2 溶胶-凝胶技术的分类及机理 | 第22-26页 |
| ·胶体溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| ·金属有机物转变成无机聚合物的凝胶法 | 第23-25页 |
| ·形成有机聚合物的凝胶法 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-28页 |
| 第三章 采用溶胶-凝胶法制备ZnO及其掺杂的稀磁薄膜 | 第28-38页 |
| §3.1 制备工艺 | 第28-29页 |
| ·KW匀胶机 | 第28页 |
| ·溶胶的制备 | 第28页 |
| ·薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·样品的测试 | 第29页 |
| §3.2 ZnO薄膜的微结构 | 第29-33页 |
| ·A退火模式对薄膜微结构的影响 | 第30-31页 |
| ·B退火模式对微结构的影响 | 第31-33页 |
| ·两种不同退火模式的比较 | 第33页 |
| §3.3 Zn_(1-x)Fe_xO薄膜的微结构 | 第33-36页 |
| ·退火条件对薄膜微结构的影响 | 第33-35页 |
| ·不同掺杂含量对薄膜微结构的影响 | 第35-36页 |
| §3.4 薄膜的磁性 | 第36页 |
| §3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第四章 采用PVA方法制备掺杂ZnO薄膜及发光特性与稀磁特性的研究 | 第38-55页 |
| §4.1 制备工艺 | 第38-40页 |
| ·PVA溶胶-凝胶方法的实验步骤 | 第38页 |
| ·溶胶的制备 | 第38-39页 |
| ·薄膜的制备 | 第39页 |
| ·薄膜的测试 | 第39-40页 |
| §4.2 薄膜的微结构特性 | 第40-44页 |
| ·退火条件对Zn_(0.88)Co_(0.12)O薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| ·不同掺杂含量对Zn_(1-x)Co_xO薄膜结构的影响 | 第42-44页 |
| §4.3 Zn_(1-x)Co_xO薄膜的光学特性 | 第44-48页 |
| ·Zn_(0.88)Co_(0.12)O样品的光致发光谱 | 第44-46页 |
| ·不同掺杂含量对Zn_(1-x)Co_xO薄膜光学特性的影响 | 第46-48页 |
| §4.4 薄膜的磁性分析 | 第48-49页 |
| §4.5 Zn_(0.82)Co_(0.18)O样品的XPS谱图 | 第49-51页 |
| §4.6 Zn_(0.88)(Co_(0.5)Fe_(0.5))_(0.12)O薄膜与Zn_(0.88)Co_(0.12)O薄膜的比较 | 第51-52页 |
| ·薄膜的微结构比较 | 第51页 |
| ·薄膜的磁性比较 | 第51-52页 |
| §4.7 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 真空镀膜制备的ZnO及其掺杂薄膜 | 第55-62页 |
| §5.1 电子束蒸发制备ZnO薄膜 | 第55-60页 |
| ·薄膜的制备工艺 | 第55-58页 |
| ·薄膜的微结构 | 第58-60页 |
| §5.2 锌膜氧化法制备ZnO薄膜 | 第60-61页 |
| ·薄膜的制备 | 第60页 |
| ·薄膜的微结构 | 第60-61页 |
| §5.3 本章小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第六章 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附录 | 第65页 |
