| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·ZnO 材料的晶体结构和基本性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO 材料的应用 | 第12-13页 |
| ·光电器件方面的应用 | 第12-13页 |
| ·其他方面的应用 | 第13页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| ·非极性ZnO 薄膜的研究现状和意义 | 第16-17页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 SSCVD 实验流程和ZnO 薄膜的表征手段 | 第18-27页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·SSCVD 法制备a 面ZnO 薄膜 | 第18-22页 |
| ·固相源的制备 | 第18-21页 |
| ·SSCVD 法制备a 面ZnO 薄膜实验流程 | 第21-22页 |
| ·薄膜的测试表征手段 | 第22-27页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第23-24页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第24-25页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第25-26页 |
| ·霍尔效应测试 | 第26-27页 |
| 第三章 a 面ZnO 薄膜的制备和分析 | 第27-41页 |
| ·SSCVD 法异质外延生长ZnO 薄膜 | 第27-36页 |
| ·管式炉加热源附近温度分布 | 第27-28页 |
| ·固相源的分解温度对a 面ZnO 薄膜的影响 | 第28-29页 |
| ·载气流量对a 面ZnO 薄膜的影响 | 第29-30页 |
| ·衬底温度对a 面ZnO 薄膜的影响 | 第30-33页 |
| ·衬底品质对a 面ZnO 薄膜生长的影响 | 第33-36页 |
| ·射频磁控溅射法生长a 面ZnO 薄膜 | 第36-38页 |
| ·a 面ZnO 薄膜的制备 | 第36页 |
| ·退火温度对a 面ZnO 薄膜的影响 | 第36-38页 |
| ·ZnO 薄膜应力的计算 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 a 面ZnO 薄膜的光电性质研究 | 第41-56页 |
| ·a 面ZnO 薄膜的光致发光性质 | 第41-44页 |
| ·ZnO 荧光特性讨论 | 第41-42页 |
| ·a 面ZnO 薄膜的光致发光谱 | 第42-43页 |
| ·退火温度对a 面ZnO 薄膜PL 谱的影响 | 第43-44页 |
| ·a 面ZnO 薄膜的透射光谱分析 | 第44-47页 |
| ·a 面ZnO 与c 面ZnO 薄膜的透射光谱对比 | 第44-45页 |
| ·N_2 环境中退火前后的透射光谱对比 | 第45-46页 |
| ·O_2 氛围中不同退火温度下a 面ZnO 薄膜的透射谱 | 第46-47页 |
| ·a 面ZnO 薄膜的电学性质讨论 | 第47-50页 |
| ·霍尔效应以及范德堡方法的应用 | 第47-49页 |
| ·退火气氛和温度对a 面ZnO 薄膜电学性质的影响 | 第49-50页 |
| ·a 面ZnO 薄膜的电容特性 | 第50-55页 |
| ·MSM 结构的电容特性 | 第50-52页 |
| ·非极性ZnO 薄膜的C-V 特性 | 第52-53页 |
| ·非极性ZnO 薄膜电阻-温度特性 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第63-64页 |
