电化学刻蚀半导体InP纳米多孔阵列及机理研究
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-25页 |
| ·刻蚀技术 | 第8-9页 |
| ·元素半导体Si 的电化学刻蚀研究 | 第9-20页 |
| ·电化学制备多孔Si 的研究进展 | 第9-16页 |
| ·多孔Si 的应用研究 | 第16-20页 |
| ·化合物半导体的电化学刻蚀研究现状 | 第20-24页 |
| ·当前存在的问题和研究意义 | 第24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 2 电化学刻蚀半导体InP 的研究 | 第25-32页 |
| ·半导体InP 的物理性质 | 第25-27页 |
| ·样品制备及实验装置 | 第27-30页 |
| ·样品制备 | 第27-29页 |
| ·样品刻蚀 | 第29-30页 |
| ·刻蚀溶液的选择 | 第30页 |
| ·对刻蚀后样品的分析手段 | 第30页 |
| ·小结 | 第30-32页 |
| 3 电化学刻蚀InP 纳米多孔阵列机理的研究 | 第32-43页 |
| ·孔的初始形成阶段与分析 | 第32-34页 |
| ·表面预处理对刻蚀的影响 | 第34-37页 |
| ·表面预处理与刻蚀情况 | 第34-35页 |
| ·电化学反应与表面曲率的关系 | 第35-37页 |
| ·刻蚀过程中的侧蚀现象与分析 | 第37-39页 |
| ·掺杂对样品刻蚀的影响 | 第39-41页 |
| ·掺杂对电化学刻蚀的影响研究 | 第39-40页 |
| ·实验结果 | 第40-41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 4 电化学刻蚀过程中电流振荡的分析 | 第43-53页 |
| ·关于电流振荡的研究 | 第43-45页 |
| ·实验中的电流振荡现象 | 第45-50页 |
| ·实验 | 第45页 |
| ·大幅振荡现象的分析 | 第45-48页 |
| ·无规则随机振荡的分析与讨论 | 第48-50页 |
| ·电压变化对电流振荡现象的影响 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 5 结论与展望 | 第53-55页 |
| ·结论 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 附：作者在攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第62-63页 |
| 独创性声明 | 第63页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第63页 |
