| 摘 要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究状况和进展 | 第9-10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 功率放大器 | 第12-19页 |
| ·功率放大器的主要指标 | 第12-13页 |
| ·功率放大器的分类 | 第13-19页 |
| ·A 类射频功率放大器 | 第13-14页 |
| ·B 类射频功率放大器 | 第14-15页 |
| ·AB 类射频功率放大器 | 第15页 |
| ·C 类射频功率放大器 | 第15-16页 |
| ·D 类射频功率放大器 | 第16-17页 |
| ·E 类射频功率放大器 | 第17-18页 |
| ·F 类射频功率放大器 | 第18-19页 |
| 第三章 无源集成电路元件的特性 | 第19-29页 |
| ·电阻 | 第19-20页 |
| ·电容 | 第20-21页 |
| ·电感 | 第21-29页 |
| ·在标准 CMOS 工艺上实现的硅基集成螺旋电感 | 第21-23页 |
| ·CMOS 工艺中电感的集总模型 | 第23-25页 |
| ·提高螺旋电感的品质因数 | 第25-29页 |
| ·品质因数（Q） | 第25-27页 |
| ·电感品质因数的提高 | 第27-29页 |
| 第四章 E 类功率放大器的设计 | 第29-38页 |
| ·E 类功率放大器工作特性 | 第30-32页 |
| ·E 类功放的状态空间描述 | 第32-38页 |
| ·建立状态空间模型 | 第32-33页 |
| ·状态空间方程求解 | 第33-35页 |
| ·电路仿真与程序验证 | 第35-38页 |
| 第五章 基于BiCMOS 工艺的E 类功放的仿真与结果 | 第38-53页 |
| ·E 类功放的结构改进 | 第38-44页 |
| ·互补结构功放 | 第38-39页 |
| ·差分结构功放 | 第39-40页 |
| ·交叉耦合结构 | 第40-41页 |
| ·输入级电路 | 第41-44页 |
| ·输入、输出端电阻匹配 | 第44页 |
| ·基于BiCMOS 工艺的电路仿真 | 第44-53页 |
| ·电感的选取 | 第45-46页 |
| ·电容的选取及MOS 管尺寸参数的确定 | 第46-48页 |
| ·仿真和测试结果 | 第48-53页 |
| 第六章 E 类功放版图设计 | 第53-56页 |
| 第七章 总结 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 附录 | 第60页 |