| 第1章 绪论 | 第1-22页 |
| 1．1 前言 | 第11页 |
| 1．2 干气的利用现状 | 第11-15页 |
| 1．2．1 催化裂化干气制乙苯 | 第11-12页 |
| 1．2．2 催化裂化干气制环氧乙烷 | 第12页 |
| 1．2．3 催化裂化干气制氨 | 第12页 |
| 1．2．4 乙烷氧化裂解制乙烯 | 第12页 |
| 1．2．5 催化裂化干气回收乙烯 | 第12-14页 |
| 1．2．6 催化裂化干气回收氢气 | 第14-15页 |
| 1．3 丙醛的生产和市场需求 | 第15-21页 |
| 1．3．1 丙醛的性质 | 第15页 |
| 1．3．2 丙醛的用途 | 第15-16页 |
| 1．3．3 丙醛的生产工艺路线 | 第16-17页 |
| 1．3．4 丙醛的生产及消费结构 | 第17-21页 |
| 1．4 本章小结 | 第21-22页 |
| 第2章 干气氢甲酰化研究进展 | 第22-25页 |
| 2．1 干气氢甲酰化现状 | 第22页 |
| 2．2 干气的前处理 | 第22页 |
| 2．3 干气氢甲酰化合成丙醛研究现状 | 第22-24页 |
| 2．3．1 均相催化体系 | 第23-24页 |
| 2．3．2 均相担载催化体系 | 第24页 |
| 2．4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 乙烯多相氢甲酰化进展 | 第25-36页 |
| 3．1 前言 | 第25-26页 |
| 3．2 载体对担载铑基催化剂上乙烯氢甲酰化的影响 | 第26-27页 |
| 3．3 SiO_2负载铑基催化剂上乙烯氢甲酰化性能研究 | 第27-33页 |
| 3．3．1 助剂对SiO_2负载铑基催化剂的调变 | 第27-31页 |
| 3．3．2 制备条件对催化剂性能的影响 | 第31-32页 |
| 3．3．3 制备条件对催化剂性能的影响 | 第32-33页 |
| 3．4 本章小结 | 第33页 |
| 3．5 本课题的工作简述 | 第33-36页 |
| 3．5．1 本课题的主要构思 | 第33-34页 |
| 3．5．2 本课题的意义 | 第34页 |
| 3．5．3 本课题的主要工作 | 第34-36页 |
| 第4章 催化剂的制备及其评价 | 第36-51页 |
| 4．1 主要原料及试剂 | 第36页 |
| 4．2 催化剂的制备 | 第36-37页 |
| 4．3 反应混合气的前处理 | 第37-44页 |
| 4．3．1 气相色谱的校正 | 第37-38页 |
| 4．3．2 反应干气的初始组分分析 | 第38-44页 |
| 4．4 催化剂的评价 | 第44-46页 |
| 4．4．1 反应的流程简述及流程简图 | 第44页 |
| 4．4．2 产品分析方法的建立 | 第44-46页 |
| 4．5 PPh_3-Rh/SiO_2催化剂上干气中的乙烯氢甲酰化反应性能 | 第46-50页 |
| 4．5．1 多相、匀相担载和PPh_3-Rh/SiO_2催化剂的反应性能比较 | 第46页 |
| 4．5．2 n(P)/n(Rh)对干气氢甲酰化反应的影响 | 第46-48页 |
| 4．5．3 焙烧温度对催化剂性能的影响 | 第48页 |
| 4．5．4 PPh_3-Rh/SiO_2催化剂上反应条件的研究 | 第48-50页 |
| 4．6 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 PPh_3-Rh/SiO_2催化剂的表征 | 第51-72页 |
| 5．1 催化剂的表征方法 | 第51-52页 |
| 5．1．1 程序升温还原(TPR) | 第51页 |
| 5．1．2 程序升温还原(TPD) | 第51页 |
| 5．1．3 热重(TG) | 第51页 |
| 5．1．4 红外(FTIR) | 第51-52页 |
| 5．1．5 X射线光电子能谱(XPS) | 第52页 |
| 5．1．6 ~(31)P魔角旋转核磁共振实验(~(31)PMAS NMR) | 第52页 |
| 5．2 催化剂的表征与分析 | 第52-70页 |
| 5．2．1 Rh/SiO_2催化剂的TPR结果 | 第52-53页 |
| 5．2．2 PPh_3-Rh/SiO_2催化剂的TG研究 | 第53-55页 |
| 5．2．3 ~(31)P MAS NMR对PPh_3-Rh/SiO_2催化剂的表征 | 第55-56页 |
| 5．2．4 PPh_3-Rh/SiO_2催化剂的XPS研究 | 第56-58页 |
| 5．2．5 PPh_3-Rh/SiO_2催化剂的TPD研究 | 第58-70页 |
| 5．3 本章小结 | 第70-72页 |
| 结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
