| 中文摘要 | 第1-8页 |
| 英文摘要 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| §1．1 引言 | 第11-12页 |
| §1．2 硅化物工艺的发展历史 | 第12-19页 |
| §1．3 SALICIDE工艺常用硅化物特性介绍 | 第19-24页 |
| §1．3．1 TiSi_2 | 第21-22页 |
| §1．3．2 CoSi_2 | 第22-24页 |
| §1．4 NiSi工艺和本论文研究内容 | 第24-32页 |
| 第二章 超薄Ni膜硅化反应基本特性研究 | 第32-59页 |
| §2．1 引言 | 第32-33页 |
| §2．2 样品制备简介 | 第33-34页 |
| §2．3 超薄Ni膜硅化反应基本特性研究 | 第34-52页 |
| §2．3．1 薄层电阻与RTP处理温度的关系 | 第34-38页 |
| §2．3．2 生成硅化物的物相分析 | 第38-42页 |
| §2．3．3 生成物薄膜的SIMS元素深度分布分析 | 第42-48页 |
| §2．3．4 生成物薄膜的透射电镜分析分析 | 第48-52页 |
| §2．4 讨论 | 第52-58页 |
| §2．5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第三章 形成Ni_2Si薄膜的反应动力学研究 | 第59-85页 |
| §3．1 引言 | 第59-61页 |
| §3．2 Ni／Si反应形成Ni_2Si动力学模型的建立 | 第61-65页 |
| §3．3 Ni_2Si薄膜样品制备工艺简介 | 第65-68页 |
| §3．4 Ni_2Si薄膜形成激活能数据的获得 | 第68-79页 |
| §3．5 激活能应用实例和讨论 | 第79-84页 |
| §3．6 本章小结 | 第84-85页 |
| 第四章 基于NiSi／Si肖特基接触特性的Ni／Si反应研究 | 第85-108页 |
| §4．1 引言 | 第85-86页 |
| §4．2 肖特基势垒分布不均匀性的背景知识 | 第86-90页 |
| §4．2．1 弹道电子发射显微术用于研究势垒分布不均匀性 | 第86-87页 |
| §4．2．2 I-V-T方法用于研究势垒分布不均匀性 | 第87-90页 |
| §4．3 NiSi／Si肖特基接触样品制备工艺 | 第90-91页 |
| §4．4 不同退火工艺形成的NiSi／Si肖特基面接触特性 | 第91-104页 |
| §4．5 退火升温速率对NiSi／Si面接触特性的影响 | 第104-107页 |
| §4．6 本章小结 | 第107-108页 |
| 第五章 非晶化注入技术在NiSi SALICIDE工艺中应用初步研究及NiSi SALICIDE工艺展望 | 第108-126页 |
| §5．1 引言 | 第108-109页 |
| §5．2 样品制备工艺简介 | 第109-111页 |
| §5．3 PJA处理对硅化反应影响的初步研究 | 第111-120页 |
| §5．4 NiSi SALICIDE工艺展望 | 第120-125页 |
| §5．5 本章小结 | 第125-126页 |
| 第六章 总结 | 第126-130页 |
| 参考文献 | 第130-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 攻读博士学位期间研究论文目录 | 第139-141页 |
| 作者简历 | 第141-142页 |
