| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·C／SiC复合材料 | 第10-11页 |
| ·C／SiC复合材料的工程需求与应用前景 | 第10页 |
| ·C纤维 | 第10-11页 |
| ·界面层材料 | 第11页 |
| ·SiC基体 | 第11页 |
| ·C／SiC复合材料的研究现状 | 第11-12页 |
| ·C／SiC复合材料的主要制备方法 | 第12-13页 |
| ·化学气相渗透法 | 第12-13页 |
| ·反应性熔体浸渗 | 第13页 |
| ·C／SiC复合材料的涂层防氧化 | 第13-15页 |
| ·对防氧化涂层的要求 | 第14-15页 |
| ·C／SiC复合材料氧化行为研究 | 第15-18页 |
| ·C／SiC复合材料氧化模型 | 第15-17页 |
| ·C／SiC复合材料的因素分析法模型 | 第17-18页 |
| ·本文的选题依据和研究目标 | 第18-20页 |
| ·本文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验材料和方法 | 第21-26页 |
| ·试样制备 | 第21-24页 |
| ·原材料 | 第21-22页 |
| ·碳纤维 | 第21页 |
| ·制备热解碳界面相所用气源 | 第21-22页 |
| ·制备SiC基体所用气源 | 第22页 |
| ·3D C／SiC复合材料的制备过程 | 第22-24页 |
| ·氧化实验 | 第24页 |
| ·组织结构分析 | 第24-26页 |
| 第三章 C／SiC复合材料的显微结构特征 | 第26-35页 |
| ·SiC涂层的显微结构分析 | 第26-28页 |
| ·复合材料内部的显微结构分析 | 第28-30页 |
| ·试样的取样方式 | 第28-29页 |
| ·纤维束的显微结构分析 | 第29-30页 |
| ·复合材料纤维束内部的显微结构分析 | 第30-32页 |
| ·C／SiC复合材料在氧化过程中的气相扩散通道 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 C／SiC在空气中的氧化机理分析 | 第35-54页 |
| ·C／SiC复合材料各组元的氧化 | 第35-37页 |
| ·C相的氧化行为 | 第35-36页 |
| ·SiC相的氧化行为 | 第36-37页 |
| ·微裂纹随温度的变化 | 第37-39页 |
| ·微裂纹随温度变化的经验公式 | 第37-38页 |
| ·由热膨胀系数确定微裂纹的愈合温度 | 第38-39页 |
| ·C／SiC复合材料氧化过程控制因素 | 第39-44页 |
| ·C-O_2反应速率 | 第39-40页 |
| ·氧气在复合材料中的扩散 | 第40-44页 |
| ·气体分子的平均自由程 | 第41-42页 |
| ·Fick扩散 | 第42-43页 |
| ·Knudsen扩散 | 第43-44页 |
| ·C／SiC复合材料的氧化行为 | 第44-50页 |
| ·复合材料的氧化失重曲线 | 第44-45页 |
| ·复合材料氧化温度区间的划分 | 第45-46页 |
| ·复合材料的氧化机理分析 | 第46-50页 |
| ·C-O_2反应控制的氧化区 | 第47-48页 |
| ·O_2通过微裂纹扩散控制的氧化区 | 第48页 |
| ·O_2通过缺陷扩散控制的氧化区 | 第48-49页 |
| ·O_2通过气泡扩散控制的氧化区 | 第49-50页 |
| ·氧化过程对C／SiC复合材料显微结构的影响 | 第50-53页 |
| ·氧化过程对纤维束的显微结构的影响 | 第51页 |
| ·氧化过程对纤维的显微结构的影响 | 第51-53页 |
| ·本章小节 | 第53-54页 |
| 第五章 C/SiC在氧气环境中的氧化动力学模型 | 第54-68页 |
| ·复合材料氧化过程简述 | 第54-55页 |
| ·复合材料氧化动力学模型 | 第55-66页 |
| ·C-O_2反应控制的复合材料氧化动力学 | 第55-57页 |
| ·O_2扩散控制的复合材料氧化动力学 | 第57-64页 |
| ·建模时的假设 | 第58-59页 |
| ·SiC的氧化动力学 | 第59-61页 |
| ·O_2的浓度梯度 | 第61-63页 |
| ·C相氧化的质量变化 | 第63-64页 |
| ·复合材料的总的质量变化 | 第64页 |
| ·氧化过程对SiC缺陷的影响 | 第64-66页 |
| ·沉积缺陷的愈合时间 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 C／SiC在氧水耦合环境中的氧化机理及动力学模型 | 第68-83页 |
| ·C／SiC在水蒸汽环境中的氧化行为及氧化机理分析 | 第68-74页 |
| ·水蒸汽环境中C／SiC的氧化行为 | 第68-69页 |
| ·水蒸汽环境中C／SiC的氧化机理分析 | 第69-71页 |
| ·水氧耦合环境中C／SiC的氧化行为 | 第71页 |
| ·水氧耦合环境中C／SiC的氧化机理分析 | 第71-74页 |
| ·氧化温度区间的划分 | 第72页 |
| ·氧化机理分析 | 第72-74页 |
| ·C／SiC在氧水耦合环境中的氧化动力学模型 | 第74-81页 |
| ·SiC在氧水耦合环境中的氧化动力学模型 | 第74-76页 |
| ·在氧水耦合环境中复合材料的氧化动力学模型 | 第76-79页 |
| ·气体的浓度梯度 | 第76-78页 |
| ·边界条件 | 第78-79页 |
| ·C相氧化的质量变化 | 第79-80页 |
| ·复合材料总的的质量变化 | 第80-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第七章 C／SiC复合材料的因素分析法软件平台 | 第83-92页 |
| ·因素分析法简介 | 第83-85页 |
| ·因素分析法建模过程 | 第84页 |
| ·因素分析法的意义 | 第84-85页 |
| ·因素分析法软件平台的建立 | 第85-87页 |
| ·因素分析法软件的人机交互界面 | 第87-89页 |
| ·因素分析法的扩展 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 结论 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |